[发明专利]一种酸溶液及硅电容麦克风的制作方法有效
| 申请号： | 201611133276.2 | 申请日： | 2016-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN106851521B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 许盛玉;陈秋玉;吴伟昌;吕丽英;黎家健 | 申请（专利权）人： | 瑞声科技（新加坡）有限公司 |
| 主分类号： | H04R31/00 | 分类号： | H04R31/00;H04R19/04 |
| 代理公司： | 深圳市中原力和专利商标事务所(普通合伙) 44289 | 代理人： | 胡国良 |
| 地址： | 新加坡宏茂桥*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 溶液 电容 麦克风 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种酸溶液，其特征在于，所述酸溶液由按重量比值1:2至1:5的强酸和缓冲酸混合形成，所述强酸的PH3，所述缓冲酸为NH4F和HF的混合物，NH4F和HF的重量比为13：2，所述酸溶液的PH≤1。
2.根据权利要求1所述的酸溶液，其特征在于，所述强酸为HCL。
3.根据权利要求1所述的酸溶液，其特征在于，所述强酸和缓冲酸的重量比值为2:5。
4.一种硅电容麦克风的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供从上至下依次设置的硅振膜层、背板层和硅基底，所述硅振膜层与所述背板层相对并间隔设置，所述背板层的中央处设有声孔，所述硅基底对应所述背板层的中央处设有与所述声孔连通的背腔，所述硅振膜层与所述背板层之间以及所述声孔内设有牺牲氧化物层；
利用如权利要求1至3任意一项权利要求所述的酸溶液去除所述牺牲氧化物层，得到硅电容麦克风。
5.根据权利要求4所述的硅电容麦克风的制作方法，其特征在于，所述牺牲氧化物层为氧化硅层。
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