[发明专利]一种片状结构的钴掺杂氧化铈纳米材料及其制备和应用有效
申请号: | 201611132090.5 | 申请日: | 2016-12-09 |
公开(公告)号: | CN106745170B | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 杨卫春;柴立元;李超芳;刘恢;王海鹰;唐崇俭;杨志辉;廖骐 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | C01F17/00 | 分类号: | C01F17/00;B82Y40/00;B01J23/83;B01J35/10;B01D53/86;B01D53/64 |
代理公司: | 长沙市融智专利事务所43114 | 代理人: | 袁靖 |
地址: | 410083 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 片状 结构 掺杂 氧化 纳米 材料 及其 制备 应用 | ||
1.一种片状结构的钴掺杂氧化铈纳米材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:将硝酸铈、钴盐、聚乙烯吡咯烷酮、尿素混合经水热反应后,再经过煅烧,获得片状结构的钴掺杂氧化铈纳米材料;水热反应温度130℃-170℃,时间10-12小时;铈与钴的摩尔比:1:(0.02~0.2);所采用的硝酸铈、聚乙烯吡咯烷酮和尿素投加的质量比为:1:(0.5~2):(2~6)。
2.根据权利要求1所述的片状结构的钴掺杂氧化铈纳米材料的制备方法,其特征在于,钴盐包括氯化钴、硝酸钴、醋酸钴中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的片状结构的钴掺杂氧化铈纳米材料的制备方法,其特征在于,煅烧温度450-600℃,煅烧2-4h。
4.根据权利要求1所述的片状结构的钴掺杂氧化铈纳米材料的制备方法,其特征在于,将硝酸铈和钴盐及聚乙烯吡咯烷酮加入到去离子水中,磁力搅拌5-30分钟,加入一定量的尿素混合水解反应20-60分钟,得到的混合物再进行水热反应。
5.根据权利要求1所述的片状结构的钴掺杂氧化铈纳米材料的制备方法,其特征在于,水热反应后的产物水洗三次,乙醇洗两次,抽滤后,将其60℃干燥8小时以上,再进行煅烧。
6.权利要求1-5任一项所述的方法制备而成的片状结构的钴掺杂氧化铈纳米材料。
7.权利要求6所述的片状结构的钴掺杂氧化铈纳米材料用于催化脱汞。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中南大学,未经中南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611132090.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。