[发明专利]一种具有抑制寄生电容的方向性脑深部电极

权利要求书

1.一种能抑制寄生电容的方向性脑深部电极，其特征在于：所述电极(1)的远端的外表面设置有MEMS膜层；所述MEMS膜层由一层或多层金属物，一层或多层硅系阻隔物，和一层或多层聚合物形成；所述MEMS膜层形成多个电极触点(2)，所述电极触点(2)设置为全向电极或定向电极，所述全向电极围绕所述电极(1)的大约整个圆周；所述定向电极围绕所述电极(1)的一部分圆周，所述定向电极能够电连接成所述全向电极；任意相邻所述电极触点(2)之间存在能够抑制寄生电容的间隔(3)；

所述间隔(3)的形状设置为具有周期性变化的波形形状，所述波形的波长约为电极刺激波形波长的整数倍。

2.根据权利要求1所述的方向性脑深部电极，其特征在于：所述间隔(3)的形状设置为锯齿状，所述锯齿状的波形波长约为电极刺激波形波长的整数倍。

3.根据权利要求1所述的方向性脑深部电极，其特征在于：所述间隔(3)的形状设置为波浪形状，所述波浪形状的波长为电极刺激波形波长的整数倍。

4.根据权利要求1所述的方向性脑深部电极，其特征在于：所述间隔(3)的形状设置为折线段形状。

5.根据权利要求1所述的方向性脑深部电极，其特征在于：所述金属物层沉积在所述硅系阻隔物层的表面上；所述硅系阻隔物层沉积到所述聚合物层上。

6.根据权利要求1所述的方向性脑深部电极，其特征在于：所述金属物选择为：金，银，钛，铂或铱，所述硅系阻隔物选择为：氮化硅，氧化硅，碳化硅，多晶硅或非晶硅；所述聚合物层选择为：聚酰亚胺或硅氧烷前体。