[发明专利]激光对多晶硅材料表层的再结晶方法及应用

权利要求书

1.激光对多晶硅材料表层的再结晶方法，其特征在于该方法包括以下步骤：

步骤(1)、对多晶硅材料进行预处理，去除多晶硅材料表面的氧化层；其中多晶硅材料为带有晶体缺陷和金属杂质的硅材料；

步骤(2)、利用激光扫描步骤(1)预处理后的多晶硅材料的上表面；由于激光的加热效应，多晶硅材料的表面层融化并随后再结晶；通过控制激光的移动时间速度，进而控制多晶硅材料的再结晶速度，直至生成一层晶向均一，无明显晶体缺陷的“类单晶”表层；

所述的激光光源的强度控制在50～83.3W/mm²，模式为连续模式，波长控制在560～850nm，速度控制在1～6m/s。

2.如权利要求1所述的激光对多晶硅材料表层的再结晶方法，其特征在于步骤(2)所述的激光光源必须为线型激光。

3.采用如权利要求1所述的方法制备而成的多晶硅材料在制备硅电池中的应用。

4.如权利要求3所述的应用，其特征在于所述的制备硅电池的过程具体是将磷元素扩散进入如权利要求1所述的方法制备而成的多晶硅材料，使得硅材料表面的电阻率达到40～100Ω/□，从而硅材料的上表面形成n+发射层；利用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在硅材料n+发射层的上表面生长一层75～80nm的SiNx:H钝化层；然后利用丝网印刷技术为SiN_x:H钝化层上表面和硅材料下表面分别铺设银电极和铝金属层；最后置于810～850℃下烧结，其中烧结过程中一部分铝元素会扩散到硅材料中，致使在硅材料与铝金属层间形成P+层；由P+层与铝层构成的整个背电极达到欧姆电阻。

5.如权利要求3所述的应用，其特征在于所述的制备硅电池的过程具体是将磷元素扩散进入如权利要求1所述的方法制备而成的多晶硅材料，使得硅材料表面的电阻率达到60～100Ω/□，从而硅材料的上表面形成n+发射层；利用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在n+发射层上表面和硅材料下表面各生长一层75～80nm的SiNx:H钝化层；在硅材料下表面的SiNx:H钝化层上开有若干通孔，然后用金属蒸发镀膜设备给硅材料镀上铝金属层，其中由于铝元素会经SiNx:H钝化层通孔扩散到硅材料中，致使在硅材料与铝金属层间形成P+层；由P+层与铝层构成的整个背电极达到欧姆电阻。