[发明专利]在存储模块中具有存储区块交错操作的半导体存储设备

权利要求书

1.一种半导体存储设备，包括：

第一存储区，所述第一存储区位于所述半导体存储设备中；以及

第二存储区，所述第二存储区位于所述半导体存储设备中，其中基于使用选择信号，独立于所述第一存储区访问所述第二存储区，

其中所述第一存储区和第二存储区共享命令和地址线，并且基于所述使用选择信号，执行存储区块交错操作，

共享命令解码器,连接到第一存储区和第二存储区的；

第一控制器,连接到第一存储区；

第二控制器,连接到第二存储区；和

数据通信(DQ)连接电路，被配置为接收所述使用选择信号，当所述使用选择信号指示第一存储区和第二存储区属于相同区块时，在输出级将对应于第一存储区和第二存储区的输入/输出通路彼此分离，并且当所述使用选择信号指示第一存储区和第二存储区属于不同区块时，在输出级将所述输入/输出通路彼此集成，

其中，第一芯片选择信号通过第一控制器从半导体存储设备的外部传送到第一存储区，而不通过共享命令解码器传送，并且不同于第一芯片选择信号的第二芯片选择信号通过第二控制器从半导体存储设备的外部传送到第二存储区，而不通过共享命令解码器传送，并且

其中所述半导体存储设备以单芯片的型式安装于存储模块上。

2.根据权利要求1所述的半导体存储设备，其中在所述存储模块中，所述第一存储区属于并且在第一存储区块中操作，并且在所述存储模块中，所述第二存储区属于第二存储区块并且在第二存储区块中操作。

3.根据权利要求2所述的半导体存储设备，其中所述存储模块是双列直插式存储模块(DIMM)。

4.根据权利要求1所述的半导体存储设备，其中，所述第一存储区和所述第二存储区中的每个包含多个存储体。

5.根据权利要求1所述的半导体存储设备，其中所述第一存储区接收第一片上终接信号，并且所述第二存储区接收与所述第一片上终接信号不同的第二片上终接信号。

6.根据权利要求1所述的半导体存储设备，其中所述第一存储区接收第一时钟使能信号，并且所述第二存储区接收与所述第一时钟使能信号不同的第二时钟使能信号。

7.根据权利要求1所述的半导体存储设备，其中将所述第一存储区和所述第二存储区封装在单晶片封装(MDP)中。

8.根据权利要求1所述的半导体存储设备，其中在所述存储模块中，所述第一存储区属于双存储区块或者四存储区块并且在双存储区块或者四存储区块中操作。

9.根据权利要求1所述的半导体存储设备，其中作为模式寄存器设定信号施加所述使用选择信号，或者利用熔断选项或者金属选项限定所述使用选择信号。