[发明专利]一种芯片的封装工艺和封装结构在审
申请号: | 201611130985.5 | 申请日: | 2016-12-09 |
公开(公告)号: | CN106783748A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 林挺宇;陈峰 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98;H01L25/065;H01L23/31;H01L21/60 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 张海英,林波 |
地址: | 214000 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 封装 工艺 结构 | ||
技术领域
本发明实施例涉及芯片封装领域,尤其涉及一种芯片的封装工艺和封装结构。
背景技术
芯片封装是指把生产出来的集成电路裸片放在一块起到承载作用的基板上,把电极引出来,然后固定包装成为一个整体。在芯片的封装过程中,一般是将裸片放置在封装基板上并对准放置位点,使得焊球对准基板上的预焊料。基板通常由有机材料或层压材料组成,后续再利用加热回焊,形成芯片与封装基板之间的电连接。芯片封装是半导体行业极其重要的一个组成部分,现有的封装结构对芯片不能进行针对性和有效地保护。
发明内容
本发明提供一种芯片的封装工艺和封装结构,以实现对芯片进行更完善的保护。
第一方面,本发明实施例提供了一种芯片的封装工艺,包括:
提供衬底;
在所述衬底中形成腔体,将至少一个设置有第一凸台的第一芯片设置在所述腔体的底面,并使所述衬底的上表面低于所述第一凸台的上表面,其中所述第一凸台位于所述第一芯片的电极上;
在各所述第一芯片和所述衬底上形成保护层,并在所述保护层上形成与各所述第一凸台上表面电连接的多条第一导线;
在所述第一导线上形成第一绝缘层以及与各所述第一导线电连接的连接柱,其中所述连接柱的上表面高于所述第一绝缘层的上表面;
在所述第一绝缘层上设置至少一个第二芯片,并在各所述第二芯片和所述第一绝缘层上形成第二绝缘层,其中,所述第二芯片的电极上设置有第二凸台;
在所述第二绝缘层上形成与各连接柱和各所述第二凸台的上表面电连接的多条第二导线以及第三绝缘层;
在所述第三绝缘层上形成至少一个窗口,以设置与各所述第二导线电连接的焊球。
可选的,在上述封装工艺中,所述在各所述第一芯片和所述衬底上形成保护层,并在所述保护层上形成与各所述第一凸台上表面电连接的多条第一导线包括:
在各所述第一芯片和所述衬底上形成保护层;
漏出各所述第一凸台的上表面;
采用重布线层工艺在所述保护层上形成与各所述第一凸台上表面连接的多条第一导线。
可选的,在上述封装工艺中,所述漏出各所述第一凸台的上表面包括:
减薄所述保护层以露出各所述第一凸台的上表面,且使各所述第一凸台的上表面平齐。
可选的,在上述封装工艺中,所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层由同种材料构成。
可选的,在上述封装工艺中,所述第一芯片为有源芯片或无源芯片。
可选的,在上述封装工艺中,所述第一导线和第二导线均为金属线。
可选的,在上述封装工艺中,在所述提供衬底之前,包括:
在第一芯片的各电极上分别形成第一凸台;
在第二芯片的各电极上分别形成第二凸台。
可选的,在上述封装工艺中,所述第一凸台为金属块或金属柱;所述第二凸台为金属块或金属柱。
可选的,在上述封装工艺中,所述连接柱为金属块或金属柱。
第二方面,本发明实施例提供了一种芯片的封装结构,包括:
衬底,所述衬底中形成有腔体;
至少一个第一芯片,设置在所述腔体的底面,所述第一芯片的电极上形成有第一凸台且所述衬底的上表面低于所述第一凸台的上表面;
保护层,形成于各所述第一芯片和所述衬底上;
多条第一导线,形成于所述保护层上,且与各所述第一凸台上表面连接;
第一绝缘层,形成于各所述第一导线和所述保护层上,所述第一绝缘层上设置有至少一个第二芯片;
多个连接柱,形成于所述第一绝缘层上,与各所述第一导线电连接,其中各所述连接柱的上表面高于所述第一绝缘层的上表面;
第二绝缘层,形成于所述至少一个第二芯片和所述第一绝缘层上,所述第二绝缘层上形成有至少一个窗口;
多条第二导线,形成于第二绝缘层上,与各连接柱和各第二凸台的上表面电连接;
第三绝缘层,形成于多条第二导线和第三绝缘层上,第三绝缘层中形成有至少一个窗口,以设置与各所述第二导线电连接的焊球。
多个焊球,形成于所述第三绝缘层上,通过至少一个窗口与各连接柱和各第二凸台的上表面电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造