[发明专利]一种石墨烯/砷化镓太阳电池在审
| 申请号： | 201611130595.8 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN106784068A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 孙恒超;贾锐;陶科;戴小宛;金智;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0336 | 分类号： | H01L31/0336;H01L31/074;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 砷化镓 太阳电池 | ||
1.一种石墨烯/砷化镓太阳电池，其特征在于，依次包括：
背面电极；
砷化镓外延片；
窗口层；
重掺杂砷化镓帽子层；
正面电极；
所述重掺杂砷化镓帽子层具有镂空区域，所述镂空区域对应正面电极栅线以外的位置；
还包括石墨烯层，所述石墨烯层设置于所述重掺杂砷化镓帽子层的镂空区域，与窗口层接触；
还包括减反层，所述减反层设置于所述石墨烯层远离窗口层的表面。
2.根据权利要求1所述的石墨烯/砷化镓太阳电池，其特征在于，所述石墨烯层的石墨烯为1～10层。
3.根据权利要求1所述的石墨烯/砷化镓太阳电池，其特征在于，所述砷化镓外延片的结构为单结或多结联级结构。
4.根据权利要求3所述的石墨烯/砷化镓太阳电池，其特征在于，所述砷化镓外延片的结构为单结砷化镓/砷化镓、单结砷化镓/锗、双结镓铟磷/砷化镓、双结镓铟磷/镓铟磷、双结铝镓铟磷/砷化镓、双结铝镓铟磷/铟镓磷、三结镓铟磷/砷化镓/锗、三结铝镓铟磷/砷化镓/锗、三结镓铟磷/铟镓砷/锗和三结铝镓铟磷/铟镓砷/锗中的任意一种或多种。
5.根据权利要求1所述的石墨烯/砷化镓太阳电池，其特征在于，所述背面电极为金、锗、镍、银、铝、钯、钛、铬、铜、氧化铟锡和铝掺杂氧化锌中的一种或几种的复合电极。
6.根据权利要求1所述的石墨烯/砷化镓太阳电池，其特征在于，所述正面电极为金、锗、镍、银、铝、钯、钛、铬、铜、氧化铟锡和铝掺杂氧化锌中的一种或几种的复合电极。
7.根据权利要求1所述的石墨烯/砷化镓太阳电池，其特征在于，所述减反层为具有减反作用的透光薄膜。
8.根据权利要求7所述的石墨烯/砷化镓太阳电池，其特征在于，所述减反层选自氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化钛、碳化硅、氮化硼和氧化铪中的任意一种或几种。
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