[发明专利]具有嵌入的应变传感器的构件及监测其的方法在审
| 申请号： | 201611128754.0 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN106931935A | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | J.A.萨尔姆;T.J.巴青格尔;B.J.格尔曼;J.D.沃德;W.F.兰森 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | G01B21/32 | 分类号： | G01B21/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 严志军,张昱 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 嵌入 应变 传感器 构件 监测 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种构件，包括：
基底；
包括设置在所述基底上的至少两个基准点的嵌入的应变传感器；以及，
设置在所述嵌入的应变传感器的至少一部分上的外涂层。
2.根据权利要求1所述的构件，其特征在于，所述外涂层覆盖所述整个嵌入的应变传感器。
3.根据权利要求1所述的构件，其特征在于，多个涂层设置在所述嵌入的应变传感器的至少一部分上。
4.根据权利要求1所述的构件，其特征在于，所述外涂层包括粘结涂层或热障涂层。
5.根据权利要求1所述的构件，其特征在于，所述外涂层包括不透明材料。
6.根据权利要求1所述的构件，其特征在于，所述外涂层还设置在所述基底的至少一部分上。
7.根据权利要求1所述的构件，其特征在于，所述嵌入的应变传感器包括由电磁光谱中的波长激励的材料。
8.根据权利要求1所述的构件，其特征在于，所述嵌入的应变传感器包括钨或铂。
9.根据权利要求1所述的构件，其特征在于，所述基底包括涡轮构件。
10.根据权利要求1所述的构件，其特征在于，所述基底包括镍基或钴基超级合金，以及其中所述嵌入的应变传感器包括比所述镍基或钴基超级合金更致密的材料。
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