[发明专利]开关器件

权利要求书

1.一种开关器件，电性连接于控制电路，其特征在于，所述开关器件包含开关功率管及启动晶体管，将所述启动晶体管集成于所述开关功率管内，所述启动晶体管接收启动电流后导通并启动所述控制电路，所述控制电路控制所述开关功率管导通，当所述控制电路正常工作后通过所述控制电路控制所述启动晶体管的电压以关闭所述启动晶体管；所述开关器件包含：N+衬底；

N-外延层，位于所述N+衬底上；

第一N+环，位于所述N-外延层上；

第一基区环，位于所述N-外延层上且位于所述第一N+环内；

第二基区，位于所述N-外延层上且位于所述第一基区环内；

第三基区环，位于所述N-外延层上且位于所述第一基区环内及所述第二基区环外；

第二N+，位于所述第二基区上；及

第三N+，位于所述N-外延层上且位于所述第三基区环内。

2.如权利要求1所述的开关器件，其特征在于，所述开关功率管包含基极、发射极和集电极，所述启动晶体管包含源极、漏极和栅极，所述漏极与所述集电极电性连接后连接于电源，所述基极、所述发射极、所述源极和所述栅极电性连接于所述控制电路。

3.如权利要求2所述的开关器件，其特征在于，所述控制电路包含电性连接的启动单元及控制单元，所述源极电性连接于所述启动单元，所述栅极、所述基极和所述发射极电性连接于所述控制单元。

4.如权利要求1-3任一项所述的开关器件，其特征在于，所述开关功率管为NPN管及/或所述启动晶体管为N沟道JFET管。

5.如权利要求1所述的开关器件，其特征在于，所述N+衬底及所述N-外延层为所述开关功率管的集电极，所述第二基区为所述开关功率管的基极，所述第二N+为所述开关功率管的发射极。

6.如权利要求1或5所述的开关器件，其特征在于，所述N+衬底及所述N-外延层为所述启动晶体管的漏极，所述第三基区环为所述启动晶体管的栅极，所述第三N+为所述启动晶体管的源极。

7.如权利要求1所述的开关器件，其特征在于，所述第一N+环和所述第一基区环不贴合，所述第一基区环和所述第二基区、所述第三基区环不贴合，所述第二基区和所述第三基区环不贴合。

8.如权利要求1所述的开关器件，其特征在于，还包含至少一第四基区环，位于所述N-外延层上且位于所述第一基区环及所述第二基区之间，所述第一基区环与所述第四基区环构成场限环，所述第四基区环与所述第一基区环、所述第二基区不贴合，所述第四基区环之间不贴合。

9.如权利要求1或8所述的开关器件，其特征在于，还包含至少一第五基区环，位于所述N-外延层上且位于所述第一基区环及所述第三基区环之间，所述第五基区环环绕所述第三基区环，所述第五基区环与所述第一基区环、所述第三基区环和所述第二基区不贴合，所述第五基区环之间不贴合。

10.如权利要求1所述的开关器件，其特征在于，所述N+衬底和所述N-外延层的浓度相同或不同，所述N+衬底和所述N-外延层的厚度相同或不同。

11.如权利要求1所述的开关器件，其特征在于，所述第一N+环与第一基区环之间具有第一间距，第一基区环与第二基区之间具有第二间距，第二基区与第三基区环之间具有第三间距，第一基区环与第三基区环之间具有第四间距，所述第一间距、所述第二间距、所述第三间距及第四间距均相同或均不同或部分相同。

12.如权利要求1所述的开关器件，其特征在于，所述第一N+环的扩散浓度、所述第二N+的扩散浓度及所述第三N+的扩散浓度均相同或均不同或部分相同，所述第一N+环的扩散深度、所述第二N+的扩散深度及所述第三N+的扩散深度均相同或均不同或部分相同。

13.如权利要求1所述的开关器件，其特征在于，所述第一基区环的扩散浓度、所述第二基区的扩散浓度及所述第三基区环的扩散浓度均相同或均不同或部分相同，所述第一基区环的扩散深度、第二基区的扩散深度及第三基区环的扩散深度均相同或均不同或部分相同。