[发明专利]一种用于IGBT模块的混合功率循环检测装置及其检测方法有效
申请号: | 201611125731.4 | 申请日: | 2016-12-09 |
公开(公告)号: | CN108226733B | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 李尧圣;李金元;温家良;潘艳;崔梅婷;王鹏 | 申请(专利权)人: | 全球能源互联网研究院有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人: | 徐国文 |
地址: | 102209 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 igbt 模块 混合 功率 循环 检测 装置 及其 方法 | ||
本发明涉及一种用于IGBT模块的混合功率循环检测装置和检测方法,其检测装置包括:并联的主电源支路、测量电源支路、第一电流传感器、主动控制循环单元、第二电流传感器和被动控制循环单元;主电源支路包括:主电源和与其串联的主控电源开关;测量电源支路包括:测量电源和与其串联的测量电源开关;主动控制循环单元包括:并联的主动控制支路,被动控制循环单元包括:并联的被动控制支路。本发明结合IGBT模块主动控制加热和被动控制加热,扩展被测模块数量;同时考虑IGBT模块加热升温和降温过程时间比例,合理设计并联支路数量,最高效率利用电源。
技术领域
本发明涉及电力电子领域,具体讲涉及一种用于IGBT模块的混合功率循环检测装置及其检测方法。
背景技术
IGBT(绝缘栅双极型晶体管,Insulated Gate Bipolar Transistor)是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和电力晶体管GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。因此IGBT驱动功率小而饱和压降低,非常适合于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
从结构上讲,IGBT模块是由IGBT芯片与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上;IGB模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。
IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念逐步深化,此类产品广受用户青睐。
随着近年来IGBT技术的快速发展,电压、电流等级的逐渐提升,其在电力系统中的应用也越来越广泛,电力系统特殊的应用环境对IGBT的器件也提出了一些特殊要求:高压、大电流,高可靠性等。研究表明IGBT重复开通、关断时,结温剧烈波动,在热应力冲击作用下将产生疲劳效应或失效,由于其工作寿命与可靠性将影响到整个装置或系统的正常运行,由于疲劳效应是一个长期过程,所以对IGBT模块的可靠性提出了更高的要求。
市场上已有的功率循环检测平台的最大检测电流为1500A,同时检测的模块数的数目最多为3个,而电力系统应用中的IGBT电流等级高达3000A及以上,已有功率循环检测平台无法满足电力系统应用的检测需求。
发明内容
为解决上述现有技术中的不足,本发明的目的在于提供一种用于IGBT模块的混合功率循环检测装置和检测方法。
其中检测装置包括:并联的主电源支路、测量电源支路、第一电流传感器、主动控制循环单元、第二电流传感器和被动控制循环单元;主电源支路包括:主电源和与其串联的主控电源开关;测量电源支路包括:测量电源和与其串联的测量电源开关;主动控制循环单元包括:并联的主动控制支路,主动控制支路包括:与IGBT栅极相连的脉冲电源,脉冲电源的另一端与IGBT的发射极相连;被动控制循环单元包括:并联的被动控制支路,被动控制支路包括:与IGBT栅极相连的恒压源及与IGBT串联的开关,恒压源的另一端与IGBT的发射极相连。
主动控制循环单元包括至少为两条并联主动控制支路;主动控制支路中设有IGBT模块。
被动控制循环单元中包括至少两条并联的被动控制支路;被动控制支路中设有至少两个串联的IGBT模块。IGBT模块中IGBT的栅极经电阻与脉冲电源相连,脉冲电源的另一端与IGBT的发射极相连,IGBT模块与电压表并联。
IGBT模块中IGBT的栅极经电阻与15V恒压源相连,15V恒压源的另一端与IGBT的发射极相连,IGBT模块与电压表并联。IGBT模块还与用于记录IGBT模块壳温的热电偶并联。
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