[发明专利]一种碳化硅陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种碳化硅陶瓷的制备方法，其中，所述方法包括以如下重量百分比成分为原料经过冷等静压和液相烧结进行制备：陶瓷主原料、占陶瓷主原料重量2.5％-3.5％的粘结剂和占陶瓷主原料重量1.5％-2.5％的分散剂；所述陶瓷主原料以陶瓷主原料总重量为100％计包括如下重量百分比成分：碳化硅60％-70％、氮化硼或鳞片石墨8％-13％、硅粉5％-10％、三氧化二铝6％和三氧化二钇4％；所述粘结剂选自聚乙烯醇；所述分散剂选自四甲基氢氧化铵；所述碳化硅陶瓷的抗折强度最高达到70MPa，耐锌液侵蚀速率最低达到0.4mm/a，所述述碳化硅陶瓷从600℃到室温，热震30次，无表观裂纹；所述方法具体包括如下步骤：

(1)将所述原料与水混合，配制成固相质量含量为35％-55％的浆料，然后造粉粒；

(2)将造粉粒放入冷等静压模具中，在压力220-280MPa，保压时间3-8min条件下进行压坯得到坯体；

(3)将坯体在150～250℃下烘干3～4h；

(4)然后将坯体在惰性气体中以8～10℃/h的速度升温至1700～1850℃，再保温时间2-3h，然后自然冷却至室温，得到所述碳化硅陶瓷。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述氮化硼为六方氮化硼。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述碳化硅为按照如下粒径比配制的粉末：200μm:60μm：15μm:1μm＝0.55:0.2:0.2:0.05。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述原料在经过冷等静压制备坯体后，先将坯体在150～250℃下烘干3～4h，然后在惰性气体中以8～10℃/h的速度升温至1700～1850℃，进行液相烧结。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其中，所述惰性气体为氮气。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其中，步骤(1)包括将所述原料与水进行球磨混合。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其中，步骤(1)所述水为去离子水。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其中，步骤(1)采用喷雾造粒法造粉粒。

9.权利要求1～8任意一项所述制备方法制备得到的碳化硅陶瓷。