[发明专利]栅偏置网络的自偏置分布式放大器的功率增强装置和方法

权利要求书

1.一种用于调整放大器的偏置的装置，所述装置包括：

具有至少第一端子、第二端子和第三端子的电子设备，其中所述电子设备是射频RF功率放大器的输出级的一部分；

耦合到所述输出级的输出节点的功率检测电路，其中所述功率检测电路被配置为在检测节点处产生检测输出；和

控制路径，所述控制路径设置在所述功率检测电路的检测节点和所述电子设备的所述第一端子之间，其中所述控制路径由被布置为形成至少无源低通滤波器网络的无源部件组成，以及所述控制路径被配置为调整所述电子设备的偏置使得当所述功率检测电路指示在所述检测节点处的检测输出的功率的增加时，所述电子设备的偏置增加。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述输出级还包括用于分布式架构的并行的多个电子设备。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述功率检测电路电容耦合到所述输出级的输出节点。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述功率检测电路通过耦合的线耦合器耦合到所述输出级的输出节点。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述功率检测电路包括整流器。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述无源滤波器网络包括具有至少第一电阻器、第二电阻器和电容器的低通滤波器网络，其中所述电容器的电容量和与所述第一电阻器相关联的第一电阻量确定升压对所述偏置的冲击速率，以及其中所述电容量和与所述第二电阻器相关联的第二电阻量确定所述升压对所述偏置的衰减速率。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电子设备经由耦合到所述第二端子的电阻器是自偏置的。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电子设备包括场效应晶体管，其中所述第一端子对应于栅极，所述第二端子对应于源极，以及所述第三端子对应于漏极。

9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述场效应晶体管是增强型场效应晶体管或耗尽型场效应晶体管。

10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述场效应晶体管是n型场效应晶体管或p型场效应晶体管。

11.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电子设备包括双极结型晶体管，其中所述第一端子对应于基极，所述第二端子对应于发射极，以及所述第三端子对应于集电极。

12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述双极结型晶体管是npn双极结型晶体管或pnp双极结型晶体管。

13.一种用于调整放大器的偏置的装置，所述装置包括：

具有至少输入节点和输出节点的射频RF功率放大器；

耦合到所述输出节点的功率检测电路，其中所述功率检测电路被配置为在检测节点处产生检测输出；和

控制路径，所述控制路径设置在所述功率检测电路的检测节点和所述RF功率放大器的输入节点之间，其中所述控制路径由被布置为形成至少无源滤波器网络的无源部件组成，以及所述控制路径被配置为调整所述RF功率放大器的偏置使得当所述功率检测电路指示所述输出节点中的功率增加时，所述RF功率放大器的偏置增加。

14.根据权利要求13所述的装置，其中，所述RF功率放大器还包括用于分布式架构的并行的多个放大器。

15.根据权利要求13所述的装置，其中，所述功率检测电路电容耦合到所述输出节点。

16.根据权利要求15所述的装置，其中，所述功率检测电路被配置为检测所述输出节点处的信号的包络。