[发明专利]米勒补偿电路及电子电路

权利要求书

1.一种米勒补偿电路，其特征在于，包括：差分放大器、输出晶体管、负载、米勒电容、跟随器和电流采样电路；

所述差分放大器包括反向输入端、正向输入端和一个输出端；其中，所述反向输入端，用于接所述米勒补偿电路的输入信号；所述正向输入端与所述输出晶体管的输出端连接；所述差分放大器的输出端，分别与所述输出晶体管、所述米勒电容连接；

所述输出晶体管包括第一端、第二端和第三端；其中，所述第一端与第一电源连接；所述第二端与所述差分放大器的输出端连接，所述第三端为电压输出端，分别与所述差分放大器的所述正向输入端及所述负载连接；

所述负载一端与所述输出晶体管的第三端连接，另一端与第二电源连接；

所述米勒电容一端与所述差分放大器的输出连接，另一端分别与所述电流采样电路和所述跟随器的输出端连接；

所述跟随器的输入端与所述输出晶体管的第三端连接，输出端分别与所述米勒电容和所述电流采样电路的输出端连接；

所述电流采样电路，对所述输出晶体管的第一电流进行采样，获得第二电流，将所述第二电流在所述电流采样电路的输出端输出，其中，所述第二电流与所述第一电流满足预设比例关系；

当所述输出晶体管为PMOS管时，所述第一端、第二端和第三端分别对应所述PMOS管的源极、栅极和漏极；当所述输出晶体管为NMOS管时，所述第一端、第二端和第三端分别对应所述NMOS管的漏极、栅极和源极；当所述输出晶体管为PNP三级管时，所述第一端、第二端和第三端分别对应所述PNP三极管的发射极、基射极和集电极；当所述输出晶体管为NPN三级管时，所述第一端、第二端和第三端分别对应所述NPN三极管的集电极、基极和发射极。

2.根据权利要求1所述的米勒补偿电路，其特征在于，

所述米勒补偿电路还包括：反馈网络；

所述输出晶体管的第三端，通过所述反馈网络与所述差分放大器的正向输入端连接。

3.根据权利要求1或2述的米勒补偿电路，其特征在于，

所述米勒补偿电路还包括：同相增益电路；

所述跟随器，通过所述同相增益电路与所述输出晶体管的第三端连接。

4.根据权利要求3所述的米勒补偿电路，其特征在于，

所述增益电路的增益幅度大于0。

5.根据权利要求1或2所述的米勒补偿电路，其特征在于，

所述输出晶体管包括：金属氧化物半导体场效应MOS管或双极型三极管。

6.根据权利要求5所述的米勒补偿电路，其特征在于，

当所述输出晶体管为所述MOS管时，所述跟随器包括：MOS管；

当所述输出晶体管为所述双极型三极管时，所述跟随器包括：双极型三极管。

7.根据权利要求1或2所述的米勒补偿电路，其特征在于，

当所述第一电源为正电源时，所述第二电源为零电源；

当所述第二电源为正电源时，所述第一电源为零电源。

8.根据权利要求1或2所述的米勒补偿电路，其特征在于，

所述跟随器包括：金属氧化物半导体场效应MOS管或双极型三极管。

9.一种电子电路，其特征在于，包括权利要求1至8任一项所述的米勒补偿电路。