[发明专利]一种砷化镓晶片打印激光标识的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种砷化镓晶片打印激光标识的方法，具体涉及一种LEC、VB、VGF生长的砷化镓晶片打印激光标识的方法，是用于2-6寸， P/P型的砷化镓晶片的标识方法。属于半导体材料制备技术领域。

背景技术

砷化镓材料是最重要的半导体材料之一，与传统的硅半导体材料相比，它具有电子迁移率高、禁带宽度大、直接带隙、消耗功率低等特性，在民用和军事领域发挥着不可替代的作用。正是这种特殊的应用领域要求所使用的砷化镓晶片具有可追溯性，所以在砷化镓晶片表面进行激光标识就成了一种必不可少的加工工艺。

虽然目前行业中对于砷化镓晶片表面的标识内容有了标准要求，但是对于具体的激光标识的加工过程各生产厂家并不统一。激光标识的关键在于需要选择特定波长范围和特定强度的激光及合适的执行工序，否则会严重影响最终抛光片的表面质量，如果激光波长大于870nm将会造成标识穿透晶片表面。

发明内容

鉴于现有技术的状况，本发明提供了一种砷化镓晶片激光标识的方法，

采用波长300～870nm、强度3W～5W的激光对尚未磨片的砷化镓化学腐蚀片表面进行标识，既保证晶片表面质量，又便于识别和追溯。

本发明所采用的技术方案是：一种砷化镓晶片打印激光标识的方法，对采用LEC法、VB法或VGF法生长的砷化镓单晶，断掉单晶的头尾，经滚圆制作主次参考面，用线切割机切割成一定厚度晶片，并对晶片表面进行化学腐蚀，然后经过倒角和再次化学腐蚀后，对晶片进行激光标识；先将晶片按照从头到尾的顺序进行排列，选定激光在晶片表面进行激光标识，具体标识尺寸参照《砷化镓圆形晶片字母数字刻码规范》进行设定，其特征在于：所述选定激光的参数为，激光波长355nm，激光强度3W，标识次数为3次，选定激光参数后进行激光标识，标识深度为140～155µm，激光的种类为紫光；

激光标识结束后对晶片表面进行清洁处理，去除标识周围因打标带来的毛刺和颗粒，以保证晶片有较好的几何参数和表面质量，然后再进行磨片及后续工序的处理。

本发明的有益效果是： 目前各厂家针对砷化镓标识操作并不统一，而且各厂家的技术也处于相对保密阶段。鉴于砷化镓材料的特性，标识时如果波长和强度太大容易导致晶片被击穿，反之，经过后续加工后标识就容易变得不清晰，所以本专利通过多次实验，最终确定出一套适合砷化镓表面标识的激光参数，既能保证晶片有较好的几何参数和表面质量，又能方便识别和后续追溯。

具体实施方式

一种砷化镓晶片打印激光标识的方法，对采用LEC法、VB法或VGF法生长的砷化镓单晶，断掉单晶的头尾，经滚圆制作主次参考面，用线切割机切割成一定厚度晶片，并对晶片表面进行化学腐蚀，然后经过倒角和再次化学腐蚀后，对晶片进行激光标识；先将晶片按照从头到尾的顺序进行排列，选定激光的参数在晶片表面进行激光标识，具体标识尺寸参照《砷化镓圆形晶片字母数字刻码规范》进行设定，其特征在于：所述激光的参数为，激光波长范围300～870nm，激光强度3W～5W，标识次数为3～5次，选定激光参数后进行激光标识，标识深度为100～200µm。

激光的种类可为紫光或红光。

激光标识结束后对晶片表面进行清洁处理，去除标识周围因打标带来的毛刺和颗粒，以保证晶片有较好的几何参数和表面质量，然后再进行磨片及后续工序的处理。

实施例一

将已经倒角并化学腐蚀完成的3寸砷化镓双抛片按照从头至尾的顺序排列好，然后选择波长355nm的紫光在晶片表面进行激光标识，激光强度为1W，打标次数3次，具体标识尺寸参照《砷化镓圆形晶片字母数字刻码规范》进行设定，激光标识结束后使用无水乙醇对晶片表面进行清洁处理，去除标识周围因打标带来的毛刺和颗粒，以保证晶片有较好的几何参数和质量，然后再进行磨片及后续工序的处理。

实施例二

本实施例与实施例一的不同点是：本实施例采用的打标次数为3次。

实施例三

本实施例与实施例一的不同点是：本实施例采用的打标次数为5次。

实施例四

本实施例与实施例一的不同点是：本实施例采用的激光强度为2W。

实施例五

本实施例与实施例二的不同点是：本实施例采用的激光强度为2W。

实施例六

本实施例与实施例三的不同点是：本实施例采用的激光强度为2W。

实施例七

本实施例与实施例一的不同点是：本实施例采用的激光强度为3W。

实施例八