[发明专利]有机发光二极管装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201611121683.1 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN106816549B | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 谢再锋;黄达;曹辰辉 | 申请（专利权）人： | 瑞声科技（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210093 江苏省南京市鼓楼区青岛路3*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 发光二极管 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光二极管装置，包括基板、设于所述基板的OLED单元及与所述基板连接且用于封装所述OLED单元的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括包覆在所述OLED单元外侧的第一无机阻隔层、包覆在所述第一无机阻隔层外侧的无机纳米-有机共聚物混合层及包覆在所述无机纳米-有机共聚物混合层外侧的第二无机阻隔层。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述无机纳米-有机共聚物混合层包含高分子交联体和通过共价键螯合在所述高分子交联体上的无机纳米颗粒。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述无机纳米颗粒的通式为MxOy或MxSy，其中M选自I-VIA主族元素或/和过渡金属元素。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述无机纳米颗粒为TiO2 、Al2 O3 、SiO2 、Sn2 O3 、ZrO、TiS2 、Al2 S3 、SiS2 、SnS2 或S2 Zr中的至少一种。
5.根据权利要求2所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述无机纳米颗粒的折射率大于1.4。
6.根据权利要求2所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述高分子交联体为碳链聚合物、有机硅聚合物或杂链聚合物中的至少一种。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述无机纳米-有机共聚物混合层的厚度为1nm-10μm。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述无机纳米-有机共聚物混合层依次通过湿法旋涂和紫外光固化步骤成型。
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管装置，其特征在于，所述第一无机阻隔层和所述第二无机阻隔层由氧化物、氮化物或碳氮化物中的至少一种材料制成；且所述第一无机阻隔层和所述第二无机阻隔层的厚度为1nm-1μm。
10.一种有机发光二极管装置的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基板和OLED单元，并将所述OLED单元沉积于所述基板上；
在所述OLED单元外表面沉积第一无机阻隔层，将所述OLED单元进行封装；
在所述第一无机阻隔层上涂覆无机纳米-有机共聚物混合物，并固化形成无机纳米-有机共聚物混合层；
在所述无机纳米-有机共聚物混合层上沉积第二无机阻隔层。
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- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
