[发明专利]一种钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法有效
申请号: | 201611119622.1 | 申请日: | 2016-12-08 |
公开(公告)号: | CN106637350B | 公开(公告)日: | 2018-05-18 |
发明(设计)人: | 周杰;冯波;尹露;翁杰;鲁雄;段可 | 申请(专利权)人: | 西南交通大学 |
主分类号: | C25D11/26 | 分类号: | C25D11/26;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 成都博通专利事务所 51208 | 代理人: | 林毓安 |
地址: | 610031 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掺杂 氧化 纳米 阵列 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜的制备方法,具体做法是:
步骤一、将金属钛表面用碳化硅砂纸逐级打磨并化学抛光,再用丙酮、乙醇和去离子水清洗后,干燥,待用;
步骤二、配制电解液:在体积百分比为5vol%去离子水中加入氟化铵,充分溶解;
步骤三、将钼酸盐加入上述配制好的电解液中,搅拌10分钟后加入体积百分比为95vol%的乙二醇,并在40℃下恒温磁力搅拌5~30分钟至完全溶解;
步骤四、将步骤一中处理好的金属钛作为阳极,石墨片或铂片作为阴极,在35~60V的恒定电压下阳极氧化0.5~2.5小时,阳极氧化后的样品在无水乙醇中浸泡12小时,最后在去离子水中超声清洗并晾干,得到金属钛样品;
步骤五、将步骤四中所得的金属钛样品放入程序控温的马弗炉,以5℃/分的恒定速度升温至400~550℃,保温3小时,随炉冷却至室温,即得钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜材料。
2.根据权利要求1所述的一种制备钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜的方法,其特征在于:所述电解液中氟化铵含量为0.3~0.8wt%,钼元素的浓度为0.0015~0.025M。
3.根据权利要求2所述的一种制备钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜的方法,其特征在于:所述电解液为含水的乙二醇体系。
4.根据权利要求1所述的一种制备钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜的方法,其特征在于:所述二氧化钛纳米管中部分Ti
5.根据权利要求1所述的一种制备钼掺杂二氧化钛纳米管阵列薄膜的方法,其特征在于:所述钼酸盐为钼酸钠或钼酸铵。
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