[发明专利]一种GaN基发光二极管的外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201611117247.7 | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN106784211B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 李红丽;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
1.一种GaN基发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、成核层、未掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、量子阱、P型GaN层，其特征在于，所述外延片还包括层叠在所述N型GaN层和所述应力释放层之间的N型隔离层，所述N型隔离层中N型掺杂剂的掺杂浓度小于所述N型GaN层中N型掺杂剂的掺杂浓度，且所述N型隔离层的厚度小于所述N型GaN层的厚度；所述N型隔离层为N型掺杂的GaN层和没有掺杂的GaN层交替层叠形成的超晶格结构。
2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述N型隔离层中N型掺杂剂的掺杂浓度为所述N型GaN层中N型掺杂剂的掺杂浓度的1/60～1/25。
3.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述N型隔离层的厚度为所述N型GaN层的厚度的1/25～1/6。
4.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述超晶格结构中所述N型掺杂的GaN层和所述没有掺杂的GaN层的层数相同，所述没有掺杂的GaN层的层数为3～10层。
5.一种GaN基发光二极管的外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
在衬底上依次形成缓冲层、成核层、未掺杂GaN层、N型GaN层、N型隔离层、应力释放层、量子阱、P型GaN层；
其中，所述N型隔离层中N型掺杂剂的掺杂浓度小于所述N型GaN层中N型掺杂剂的掺杂浓度，且所述N型隔离层的厚度小于所述N型GaN层的厚度；所述N型隔离层为N型掺杂的GaN层和没有掺杂的GaN层交替层叠形成的超晶格结构。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述N型隔离层中N型掺杂剂的掺杂浓度为所述N型GaN层中N型掺杂剂的掺杂浓度的1/60～1/25。
7.根据权利要求5或6所述的制造方法，其特征在于，所述N型隔离层的厚度为所述N型GaN层的厚度的1/25～1/6。
8.根据权利要求5或6所述的制造方法，其特征在于，所述超晶格结构中所述N型掺杂的GaN层和所述没有掺杂的GaN层的层数相同，所述没有掺杂的GaN层的层数为3～10层。
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