[发明专利]一种芯片封装结构及其制备方法

说明书

本发明公开了一种芯片封装结构及其制备方法，涉及芯片封装技术领域，其中，所述芯片封装结构包括：第一芯片，第一芯片的有源面设置有粘结层，所述粘结层对应第一芯片的焊盘设置有粘结层盲孔，第一芯片非有源面的其他侧面有包覆材料包封，介质层，设置在粘结层上方，介质层上设置有与粘结层盲孔对应设置的介质层盲孔，粘结层盲孔和介质层盲孔中填充有导电材料，第一重布线层，与粘结层盲孔和介质层盲孔中填充的导电材料电连接，焊球，与第一重布线层电连接。采用上述技术方案，第一芯片与第一重布线层通过介质层盲孔和粘结层盲孔中的导电材料电连接，设置两阶盲孔，有效提高了封装精度，避免贴片过程中对芯片造成损伤。

技术领域

本发明实施例涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种芯片封装结构及其制备方法。

背景技术

随着信息技术和半导体技术的不断发展，手机、PAD、智能手表等电子设备逐渐呈现轻型化且功能相互融合的趋势。这对电子设备中芯片的集成度要求越来越高，进而对芯片的封装带来前所未有的挑战。不断增长的互连间距的失配、加入具有不同功能的各种芯片以及在同样的占用面积下减少封装尺寸以便增加电池大小延长使用时间等均已为创新嵌入封装技术打开了窗口。

受益于3D硅通孔(Through Silicon Vias，TSV)技术的开发，晶圆级封装(Fan-OutWafer Level Packaging，FOWLP)目前被认为最适合高要求的移动/无线市场，并且对其它关注高性能和小尺寸的市场，也具有很强的吸引力。晶圆级封装是晶圆级加工的嵌入式封装，它不用基板而在一个封装中实现垂直和水平方向的多芯片集成。

目前的封装技术主要是基于封装厂的塑封及晶圆工艺制作的，加工成本高，使用范围小，难以适用大规模的量产要求，并且现有的结构在制造过程中，多采用先埋置芯片再制备激光盲孔，容易造成芯片中焊板的损伤，降低芯片扇出的良率，且在制备过程中容易出现翘曲等问题，严重影响了芯片封装结构的质量及性能。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种芯片封装结构及其制备方法，以解决现有技术芯片封装结构中封装精度不高、容易造成芯片损伤的技术问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种芯片封装结构，包括：

第一芯片，所述第一芯片的有源面设置有粘结层，所述粘结层对应所述第一芯片的焊盘设置有粘结层盲孔，所述第一芯片非有源面的其他侧面有包覆材料包封；

介质层，设置在所述粘结层上方，所述介质层上设置有与所述粘结层盲孔对应设置的介质层盲孔，所述粘结层盲孔和所述介质层盲孔中填充有导电材料；

第一重布线层，与所述粘结层盲孔和所述介质层盲孔中填充的导电材料电连接；

焊球，与所述第一重布线层电连接。

第二方面，本发明实施例还提供了一种芯片封装结构的制备方法，包括：

提供一载板，分别在所述载板的上下表面制备双层剥离结构，所述双层剥离结构包括上层结构和下层结构；

分别在所述双层剥离结构上远离所述载板的一侧制备介质层，所述介质层覆盖所述双层剥离结构；

在所述介质层预设位置处制备至少一个介质层盲孔，所述介质层盲孔贯穿所述介质层；

在所述介质层盲孔内填充导电材料；

提供第一芯片，所述第一芯片包括有源面以及位于所述有源面上的至少一个焊盘，所述第一芯片的有源面设置有粘结层，将所述第一芯片通过所述粘结层倒装在所述介质层上，所述焊盘与所述介质层盲孔对应；

在所述第一芯片非有源面的其他侧面制备包覆材料，所述包覆材料包封所述第一芯片；