[发明专利]半导体器件以及集成电路

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

提供在同一基板上的第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，所述第一晶体管至所述第三晶体管的每个包括彼此间隔开的源区和漏区、在所述基板上在第一方向上延伸且插置在所述源区和漏区之间的栅结构、以及将所述源区和漏区连接到彼此的沟道区，

其中所述第二晶体管的沟道区和所述第三晶体管的沟道区的每个包括多个沟道部分，所述多个沟道部分在垂直于所述基板的上表面的第二方向上彼此间隔开并分别连接到所述源区和漏区，所述第一晶体管的沟道区具有连接到所述基板的单个沟道部分，

其中所述第一晶体管至所述第三晶体管的所述栅结构分别包括第一栅电极、第二栅电极和第三栅电极，所述第二栅电极在所述第一方向上在所述第二晶体管的所述沟道区的所述多个沟道部分之间延伸，所述第三栅电极在所述第一方向上在所述第三晶体管的所述沟道区的所述多个沟道部分之间延伸，并且

其中所述第三晶体管的沟道部分在所述第一方向上的宽度大于所述第二晶体管的沟道部分在所述第一方向上的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二晶体管的阈值电压大于所述第三晶体管的阈值电压。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一晶体管的阈值电压大于所述第二晶体管的阈值电压。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一晶体管的沟道区具有从所述基板的所述上表面突出的鳍的形状。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一晶体管的阈值电压小于所述第三晶体管的阈值电压。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一晶体管至所述第三晶体管具有相同的导电类型。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第三晶体管的沟道部分在第三方向上的长度等于所述第二晶体管的沟道部分在所述第三方向上的长度，所述第三方向平行于所述基板的上表面并交叉所述第一方向。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二晶体管的所述多个沟道部分具有相同的厚度。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二晶体管的沟道部分的厚度等于所述第三晶体管的沟道部分的厚度。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二晶体管的所述多个沟道部分的数量等于所述第三晶体管的所述多个沟道部分的数量。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一栅电极至所述第三栅电极的功函数彼此相等。

12.一种半导体器件，包括：

提供在同一基板上的第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，所述第一晶体管至所述第三晶体管的每个包括彼此间隔开的源区和漏区、在所述基板上在第一方向上延伸并插置在所述源区和漏区之间的栅结构、以及将所述源区和漏区连接到彼此的沟道区，

其中所述第一晶体管的沟道区具有连接到所述基板的单个沟道部分并具有从所述基板的上表面突出的鳍的形状，并且

其中所述第二晶体管的沟道区和所述第三晶体管的沟道区的每个包括多个沟道部分，所述多个沟道部分在垂直于所述基板的上表面的第二方向上彼此间隔开并分别连接到所述源区和漏区，

其中所述第一晶体管至所述第三晶体管的所述栅结构分别包括第一栅电极、第二栅电极和第三栅电极，所述第二栅电极在所述第一方向上在所述第二晶体管的所述沟道区的所述多个沟道部分之间延伸，所述第三栅电极在所述第一方向上在所述第三晶体管的所述沟道区的所述多个沟道部分之间延伸。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中所述第一晶体管的阈值电压小于所述第二晶体管的阈值电压。