[发明专利]用于NFC或RFID装置的动态发射器信号包络整形控制

说明书

发射器(TX)调制包络参数在RF标准(例如，ISO 14443、NFC论坛、EMVCo)中限定。这些包络参数包括上升/下降时间、调制指数等。对于标准符合性，这些包络参数必须在相应的限制内。例如，整形参数受到利用类似于卡或移动电话的对应装置使天线失调的影响，或受到匹配网络上的热影响的影响。本发明描述能够检测和测量该天线上的失调和/或该匹配网络改变的NFC或RFID装置。通过此信息，该NFC或RFID装置可动态地控制该包络的整形参数，而不是依赖于用于该发射器的一个单静态配置设置。具体地说，该Q(品质)因数的改变用于动态地控制该发射器信号包络形状，从而补偿天线失调和/或匹配网络变化的影响。

技术领域

所描述的实施例大体上涉及用于NFC(近场通信)或RFID(射频识别)的装置和方法，且更具体地说，涉及提供用于NFC或RFID装置的动态发射器信号包络整形控制的装置和方法。

背景技术

无线通信技术，例如用于NFC或ISO 14443装置的那些，在近距离内经由磁场感应与彼此通信。每一装置具有天线。主要装置(“读取器”或“启动器”)产生可用于为类似无源应答器的辅助装置供电的磁场。应用于磁场的调制方案用于装置之间的通信目的。

主要装置使用发射器以产生所发射的射频(RF)场。匹配电路用于转换和适配对发射装置的发射器的天线阻抗。

对大功率传输的需求可限制高数据速率通信中的NFC或RFID读取器。更确切地说，当主要装置和辅助装置之间的耦合增加，根据耦合因数和主要装置的谐振电路的失调度，两个(或更多)耦合的电路的总体Q(品质)因数改变。所传输的信号的所得包络涉及所耦合的系统的所得Q因数。

因为此类所耦合的系统的Q因数可能变化极大，所以用于发射器的一个单静态配置设置可能不足以解决Q因数的这种广泛变化和所得的所传输的信号的包络形状。取决于辅助装置相对于主要装置的距离/位置，可发生应用系统不符合发射器信号整形。具体地说，发射器包络形状可能不符合标准。

因此，期望具有可以提供用于NFC或RFID装置的动态发射器信号包络整形控制的装置和方法。

发明内容

发射器(TX)调制包络参数在RF标准(例如，ISO 14443、NFC论坛、EMVCo)中限定。这些包络参数包括上升/下降时间、上升/下降沿、过冲、下冲、调制指数、调制宽度等。对于标准符合性，这些包络参数必须在对整个操作体积的相应限制内，并且必须在非接触的接口上测量。例如，整形参数受到利用类似于卡或移动电话的对应装置使天线失调的影响，或受到匹配网络上的热影响的影响。本发明描述能够检测和测量天线上的失调和/或匹配网络改变的NFC或RFID装置。具有了此信息，NFC或RFID装置可动态地控制包络的整形参数，而不是依赖于用于发射器的一个单静态配置设置。具体地说，Q(品质)因数的改变用于动态地控制发射器信号包络形状，从而补偿天线失调和/或匹配网络变化的影响。

可使用各种方法实施例来实现Q因数估计。在第一方法实施例中，实现Q因数估计可通过感测天线和匹配网络的电流和/或电压，并接着比较那个结果和参考电流和/或电压电平以确定Q因数。在一个实施例中，参考电流和/或电压电平可为天线和匹配网络不耦合到任何对应装置(即，卸载情况中的读取器)的情况(或状态)中的电流和/或电压电平。在第二方法实施例中，实现Q因数估计可通过感测天线和匹配网络的电流和/或电压，并接着另外感测发射器的TX电流和/或电压以确定Q因数。