[发明专利]具有不同罩材料的激光再封装

权利要求书

1.用于制造微机械构件(1)的方法，该微机械构件具有衬底(3)和与所述衬底(3)连接并且与所述衬底(3)包围第一空穴(5)的罩(7)，其中，在所述第一空穴(5)中存在第一压力并且包含具有第一化学组分的第一气体混合物，其中，

-在第一方法步骤(101)中，在所述衬底(3)或所述罩(7)中构造连接第一空穴(5)与所述微机械构件(1)周围环境(9)的进入开口(11)，其中，

-在第二方法步骤(102)中，调节在所述第一空穴(5)中的第一压力和/或第一化学组分，其中，

-在第三方法步骤(103)中，通过借助于激光将能量或热量引入到所述衬底(3)或所述罩(7)的吸收部分中来封闭所述进入开口(11)，其特征在于，

-在第四方法步骤(104)中，第一晶体层或第一无定型层或第一纳米晶体层或第一多晶体层在所述衬底(3)或所述罩(7)的表面上沉积或者生长，和/或

-在第五方法步骤中，提供包括第二晶体层和/或第二无定型层和/或纳米晶体层和/或第二多晶体层的衬底(3)或者包括第二晶体层和/或第二无定型层和/或纳米晶体层和/或第二多晶体层的罩(7)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在第六方法步骤中，第三晶体层或第三无定型层或第三纳米晶体层或第三多晶体层在第一晶体层上或在第一无定型层上或在第一纳米晶体层上或在第一多晶体层上沉积或生长。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在第七方法步骤中，第四晶体层或第四无定型层或第四纳米晶体层或第四多晶体层在第三晶体层上或在第三无定型层上或在第三纳米晶体层上或在第三多晶体层上沉积或生长。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在第八方法步骤中，第五晶体层或第五无定型层或第五纳米晶体层或第五多晶体层在第四晶体层上或在第四无定型层上或在第四纳米晶体层上或在第四多晶体层上沉积或生长。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在第九方法步骤中，对

-所述衬底(3)或所述罩(7)和/或

-第一晶体层或第一无定型层或第一纳米晶体层或第一多晶体层和/或

-第二晶体层或第二无定型层或第二纳米晶体层或第二多晶体层和/或

-第三晶体层或第三无定型层或第三纳米晶体层或第三多晶体层和/或

-第四晶体层或第四无定型层或第四纳米晶体层或第四多晶体层和/或

-第五晶体层或第五无定型层或第五纳米晶体层或第五多晶体层进行掺杂。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，在第十方法步骤中，去除至少部分在

-所述衬底(3)或所述罩(7)和/或

-第一晶体层或第一无定型层或第一纳米晶体层或第一多晶体层和/或

-第二晶体层或第二无定型层或第二纳米晶体层或第二多晶体层和/或

-第三晶体层或第三无定型层或第三纳米晶体层或第三多晶体层和/或

-第四晶体层或第四无定型层或第四纳米晶体层或第四多晶体层和/或

-第五晶体层或第五无定型层或第五纳米晶体层或第五多晶体层上和/或中布置的氧化物，和/或使

-所述衬底(3)或所述罩(7)和/或

-第一晶体层或第一无定型层或第一纳米晶体层或第一多晶体层和/或

-第二晶体层或第二无定型层或第二纳米晶体层或第二多晶体层和/或

-第三晶体层或第三无定型层或第三纳米晶体层或第三多晶体层和/或

-第四晶体层或第四无定型层或第四纳米晶体层或第四多晶体层和/或

-第五晶体层或第五无定型层或第五纳米晶体层或第五多晶体层钝化来防止氧化。