[发明专利]一种碲镉汞材料低损伤混合型干法刻蚀方法

权利要求书

1.一种碲镉汞材料低损伤混合型干法刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：

在电感耦合等离子体ICP的工艺腔室中，在设定的第一工艺环境下，采用设定的射频功率，对所述碲镉汞材料进行刻蚀，得到接触孔；

在所述ICP的工艺腔室中，在设定的第二工艺环境下，采用零射频，对所述接触孔处理预设时间；

在所述ICP的工艺腔室中，在设定的第二工艺环境下，采用零射频，对所述接触孔处理预设时间包括以下步骤：

按照设定的第二工作压力在所述电感耦合等离子体ICP的工艺腔室中通入第二工艺气体，设定ICP的功率，利用所述第二工艺气体对所述接触孔处理预设时间；

所述第二工艺气体，按体积比CH₄：H₂：Ar＝1：3：4；所述第二工作压力为0.5～1.5mTorr。

2.如权利要求1所述的碲镉汞材料低损伤混合型干法刻蚀方法，其特征在于，所述射频功率为40～80W。

3.如权利要求1所述的碲镉汞材料低损伤混合型干法刻蚀方法，其特征在于，所述预设时间为60～120S。

4.如权利要求1所述的碲镉汞材料低损伤混合型干法刻蚀方法，其特征在于,所述接触孔的刻蚀深度为0.5～1.5um。

5.如权利要求1所述的碲镉汞材料低损伤混合型干法刻蚀方法，其特征在于，所述第一工艺环境包括第一工艺气体、第一工作压力；所述第二工艺环境包括第二工艺气体、第二工作压力。

6.如权利要求5所述的碲镉汞材料低损伤混合型干法刻蚀方法，其特征在于：所述第一工艺气体，按体积比CH₄：H₂：Ar＝1：3：3；所述第一工作压力为1～3mTorr。

7.如权利要求1至5任一项所述的碲镉汞材料低损伤混合型干法刻蚀方法，其特征在于：所述在电感耦合等离子体ICP的工艺腔室中，在设定的第一工艺环境下，采用设定的射频功率，对所述碲镉汞材料进行刻蚀，得到接触孔包括以下步骤:

用导热油脂将所述碲镉汞材料粘在所述ICP的样品盘上，将所述样品盘送入所述ICP的工艺腔室中；

按照设定的第一工作压力在所述电感耦合等离子体ICP的工艺腔室中通入第一工艺气体，设定所述电感耦合等离子体ICP的功率和射频功率，利用第一工艺气体对所述碲镉汞材料进行刻蚀，得到接触孔。

8.如权利要求7所述的碲镉汞材料低损伤混合型干法刻蚀方法，其特征在于，所述ICP的功率为100～200W。