[发明专利]具备巨介电性能的钨铜酸钡陶瓷材料及其制备方法

说明书

本发明公开了一种具备巨介电性能的钨铜酸钡陶瓷材料，分子表达式为BaCu_1/2W_1/2O₃，由Ba，C，W，Cu，O等元素组成并具有巨介电性能。具有温度稳定性良好，介电常数高、介电损耗低的新特点。本发明还公开了该具备巨介电性能的钨铜酸钡陶瓷材料的制备方法，具体按照以下步骤实施，步骤1，配料并制备烘干粉体，步骤2，预烧，获得前驱粉体，步骤3，造粒，步骤4，压片，步骤5，烧结。

技术领域

本发明属于陶瓷材料技术领域，涉及一种具备巨介电性能的钨铜酸钡陶瓷材料。本发明还涉及该具备巨介电性能的钨铜酸钡陶瓷材料的制备方法。

背景技术

由于巨介电陶瓷材料在大容量电容器及电子元件等实用型器件微型化、集成化、智能化的需求，特别是其在动态随机存储(DRAM)和高介电电容器(MLCC)方面的潜在应用，使得研究者对巨介电陶瓷的研究越来越重视。长期以来，具有钙钛矿相结构的钛酸钡系的Ba_xSr_1-xTiO₃和钛酸铅系的PbZr_xTi_1-xO₃材料以及类钙钛矿相结构的ACu₃Ti₄O₁₂(A＝Na⁺,Cd²⁺,Ca²⁺,La³⁺,Y³⁺等)，介电常数可达1000以上。国内外对Ba_xSr_1-xTiO₃和PbZr_xTi_1-xO₃以及ACu₃Ti₄O₁₂高介电材料进行了深入的研究。由于铁电体在居里温度处发生铁电相到顺电相的转变以及大的介电常数，使铁电材料的介电常数强烈地受到温度的影响，从而导致器件的稳定性变差。因此，开发出新型宽温度稳定型的高介电材料是迫切需要的。钨铜酸钡(BaCu_1/2W_1/2O₃，简称BWC)是一种性能稳定陶瓷材料掺杂剂，常用来掺杂改性Ba_xSr_1-xTiO₃，PbZr_xTi_1-xO₃，ACu₃Ti₄O₁₂等陶瓷，以实现复合体系的高介电性，从而在高密度信息存储、薄膜器件、高介电电容器以及非线性器件上获得广泛的应用，促使器件小型化，使温度稳定性提高。以往多项研究发现，BWC可以较好地改善Ba_xSr_1-xTiO₃，PbZr_xTi_1-xO₃，ACu₃Ti₄O₁₂等基体陶瓷体系的综合性能，尤其是实现较宽温度范围内的高介电性，而并不劣化BWC/Ba_xSr_1-xTiO₃，BWC/PbZr_xTi_1-xO₃,BWC/ACu₃Ti₄O₁₂等复合体系的其它性能。因此，BWC一直被认为是一种优秀的陶瓷材料高介电化改性剂。

发明内容

本发明的目的是提供一种具备巨介电性能的钨铜酸钡陶瓷材料，具有温度稳定性良好，介电常数高、介电损耗低的新特点。

本发明所采用的技术方案是，一种具备巨介电性能的钨铜酸钡陶瓷材料，分子表达式为BaCu_1/2W_1/2O₃，由Ba，C，W，Cu，O等元素组成并具有巨介电性能。

本发明的另一目的是提供该具备巨介电性能的钨铜酸钡陶瓷材料的制备方法。