[发明专利]一种存储芯片性能的测试方法和装置在审
| 申请号： | 201611110791.9 | 申请日： | 2016-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN108154904A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 冯颖俏 | 申请（专利权）人： | 北京京存技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆;胡彬 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储芯片 测试 读取 写入 存储单元 记录 测试方法及装置 方法和装置 测试过程 错误位数 读取操作 读取性能 老化性能 写入数据 写入性能 有效测试 重复执行 比对 擦除 老化 | ||
1.一种存储芯片性能的测试方法，其特征在于，包括：
向待测试存储芯片执行设定数量的全盘写入和读取操作；
在全盘写入的过程中，对待测试存储芯片所包括的每个存储单元，进行擦除次数计数并记录；
在全盘读取之后，将读取数据与写入数据进行比对，以记录每个存储单元的错误位数；
在全盘写入和读取的过程中，记录写入性能参数和读取性能参数；
重复执行上述测试过程，直至所述待测试存储芯片老化失效。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
写入性能参数为写入速度；
读取性能参数为读出速度。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述设定数量为500次。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，向待测试存储芯片执行设定数量的全盘写入操作的数据相对于所述待测试存储芯片为随机变化数据。
5.一种存储芯片性能的测试装置，其特征在于，包括：
读写模块，用于向待测试存储芯片执行设定数量的全盘写入和读取操作；
擦除模块，用于在全盘写入的过程中，对待测试存储芯片所包括的每个存储单元，进行擦除次数计数并记录；
错误记录模块，用于在全盘读取之后，将读取数据与写入数据进行比对，以记录每个存储单元的错误位数；
参数记录模块，用于在全盘写入和读取的过程中，记录写入性能参数和读取性能参数；
重复模块，用于重复执行上述测试过程，直至所述待测试存储芯片老化失效。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于：
写入性能参数为写入速度；
读取性能参数为读出速度。
7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于：所述设定数量为500次。
8.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，向待测试存储芯片执行设定数量的全盘写入操作的数据相对于所述待测试存储芯片为随机变化数据。
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