[发明专利]一种寻找厚覆盖区矽卡岩型金属矿产的方法

权利要求书

1.一种寻找厚覆盖区矽卡岩型金属矿产的方法，其特征在于步骤如下：

步骤一、分析成矿地质条件编制勘查区成矿建造构造图；

步骤二、根据成矿建造构造图，确定找矿靶区；

找矿靶区选择条件包括：①处于岩体与碳酸盐岩地层内外接触带；

②岩体为燕山期中酸性闪长岩、中酸性闪长玢岩、石英二长闪长岩、石英二长闪长玢岩、花岗闪长岩、花岗闪长斑岩和二长花岗岩中的一种或多种；

③地层为古生界寒武系中上统富镁碳酸盐岩或奥陶系下统钙镁碳酸岩地层；

④大地构造位置为华北地台；

步骤三、在找矿靶区进行重力、磁法扫面数据采集，进行数据处理解释，对异常进行剖析，确定成矿位置；

步骤四、在成矿位置钻探验证矿藏。

2.如权利要求1所述一种寻找厚覆盖区矽卡岩型金属矿产的方法，其特征在于，所述步骤三中确定成矿位置的步骤为：在强磁异常区域开展CSAMT法剖面测量，判断CSAMT视电阻率断面图上为变形水平层状或蘑菇状异常的区域为成矿区域，所述强磁异常区域的强度≥1000nT，异常梯度≥400nT/百米，所述蘑菇状异常的剖面图异常形态为蘑菇状，蘑菇状异常伞盖直径500-1500米，伞盖顶部到蘑菇根部深度500-1000米，蘑菇状异常顶部埋深100-300米，蘑菇根部部位电阻率与围岩电阻率差值为500-1000欧姆·米，所述变形水平层状异常的视电阻率在水平方向上缓慢变化引起视电阻率曲线缓凸起或凹陷，且视电阻率梯级带变化小于2000欧姆·米/Km。

3.如权利要求1所述一种寻找厚覆盖区矽卡岩型金属矿产的方法，其特征在于，所述步骤三中确定成矿位置的步骤为：在弱磁异常区域开展CSAMT法和CR法剖面测量，判断CSAMT视电阻率为水平层状，且CR法充电率异常区域为成矿区域，所述弱磁异常区域强度为0-500nT，异常梯度＜200nT/百米，CR法充电率异常的区域的充电率大于20％。

4.如权利要求1所述一种寻找厚覆盖区矽卡岩型金属矿产的方法，其特征在于，所述步骤三中确定成矿位置的步骤为：在负磁异常区域开展CSAMT法和CR法剖面测量，判断CSAMT视电阻率为蘑菇状异常，且存在CR法充电率异常的区域为成矿区域，所述负磁异常区域的强度小于0nT。

5.如权利要求1所述一种寻找厚覆盖区矽卡岩型金属矿产的方法，其特征在于，所述步骤三中确定成矿位置的步骤为：在鼻状构造的重力高异常区域，开展CSAMT法和CR法剖面测量，判断CSAMT视电阻率为蘑菇状异常，且存在CR法充电率异常的区域为成矿区域，所述鼻状构造的重力高异常区域的布格重力异常图上场值高于周围，鼻翼部位宽1000-3000米，鼻翼中心到鼻根部位长度500-2000米，所述蘑菇状异常的剖面图异常形态为蘑菇状，蘑菇状异常伞盖直径500-1500米，伞盖顶部到蘑菇根部深度500-1000米，蘑菇状异常顶部埋深100-300米，蘑菇根部部位电阻率与围岩电阻率差值为500-1000欧姆·米，CR法充电率异常的区域的充电率大于20％。

6.如权利要求1所述一种寻找厚覆盖区矽卡岩型金属矿产的方法，其特征在于，所述步骤三中确定成矿位置的步骤为：在重力梯级带异常区域开展开展1/1万或1/2.5万磁法测量，在出现磁异常的区域，开展CR法剖面测量，判断出现充电率异常的区域为成矿区域，CR法充电率异常的区域的充电率大于20％。

7.如权利要求1所述一种寻找厚覆盖区矽卡岩型金属矿产的方法，其特征在于，所述步骤三中确定成矿位置的步骤为：在重力梯级带异常区域开展开展1/1万或1/2.5万磁法测量，在无磁异常但存在0.1-1.5×10^-5m/s²的剩余重力异常的区域，开展CR法剖面测量，判断出现充电率异常区域为成矿区域，CR法充电率异常的区域的充电率大于20％。

8.如权利要求1所述一种寻找厚覆盖区矽卡岩型金属矿产的方法，其特征在于，所述步骤四中，在成矿位置钻孔开展磁三分量测井，判断存在旁侧或井底异常为矿体。

9.如权利要求1所述一种寻找厚覆盖区矽卡岩型金属矿产的方法，其特征在于，勘查区成矿建造构造图按照以下方法编制：收集勘查区以往地质矿产和物探资料，编制基岩地质矿产草图；在勘查区开展1/5万高精度重力测量和1/2.5万高精度磁法测量，进行隐伏岩体和地层构造推断解释；结合区域地质构造特征，编制基岩地质矿产图；根据基岩地质矿产图结合区域成矿规律，分析成矿地质条件，编制成矿建造构造图。