[发明专利]一种碳量子点增强的光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种碳量子点增强的硅化锗/锡化锗光电探测器，其特征在于自下而上依次有衬底(1)、导电镀膜层(2)、锡化锗层(3)、硅化锗层(4)及碳量子点层(6)，所述的光电探测器还设有第一电极(5)和第二电极(7)，第一电极(5)设置在导电镀膜层(2)上，第二电极(7)设置在硅化锗层(4)上。

2.根据权利要求1所述的碳量子点增强的硅化锗/锡化锗光电探测器，其特征在于所述的导电镀膜层(2)为金属、ITO、FTO、n型掺杂氧化镍或p型掺杂氧化镍。

3.根据权利要求1所述的碳量子点增强的硅化锗/锡化锗光电探测器，其特征在于所述的硅化锗层(4)中的硅化锗为1-10μm。

4.根据权利要求1所述的碳量子点增强的硅化锗/锡化锗光电探测器，其特征在于所述的碳量子点层(6)为碳量子点层，所述的碳量子点直径为1nm-1μm。

5.根据权利要求1所述的碳量子点增强的硅化锗/锡化锗光电探测器，其特征在于所述的衬底(1)为刚性衬底或柔性衬底。

6.根据权利要求1所述的碳量子点增强的硅化锗/锡化锗光电探测器，其特征在于所述的第一电极(5)为金、钯、银、钛、铬和镍中的一种或几种的复合电极，所述的第二电极(7)为金、钯、银、钛、铬和镍中的一种或几种的复合电极。

7.制备如权利要求1～6任一项所述的碳量子点增强的硅化锗/锡化锗光电探测器的方法，其特征在于包括如下步骤：

1)在洁净的衬底(1)上生长导电镀膜层(2)；

2)在导电镀膜层(2)上沉积锡化锗层(3)，并在导电镀膜层(2)表面预留生长第一电极(5)的面积；

3)将硅化锗沉积至锡化锗层(3)上；

4)在硅化锗层(4)上制作碳量子点层(6)，并在硅化锗层(4)表面预留生长第二电极(7)的面积；

5)在导电镀膜层(2)上沉积第一电极(5)，并在硅化锗层(4)上沉积第二电极(7)。