[发明专利]一种氧化硅钝化层的制备方法在审
| 申请号： | 201611109290.9 | 申请日： | 2016-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN106601588A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 赵保星;赵增超;周子游;刘文峰 | 申请（专利权）人： | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙)43008 | 代理人： | 周长清 |
| 地址： | 410205 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 钝化 制备 方法 | ||
1.一种氧化硅钝化层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）在硅片表面制备第IVB族金属的氧化物薄膜；
（2）对制备有第IVB族金属的氧化物薄膜的硅片进行退火，在硅片与第IVB族金属的氧化物薄膜的界面处形成氧化硅钝化层。
2.根据权利要求1所述的氧化硅钝化层的制备方法，其特征在于，所述第IVB族金属的氧化物薄膜为氧化钛、氧化锆或氧化铪。
3.根据权利要求2所述的氧化硅钝化层的制备方法，其特征在于，所述第IVB族金属的氧化物薄膜的厚度为5nm～50nm。
4.根据权利要求3所述的氧化硅钝化层的制备方法，其特征在于，所述第IVB族金属的氧化物薄膜采用气相沉积的方法制备得到。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的氧化硅钝化层的制备方法，其特征在于，所述退火在氧气气氛下进行。
6.根据权利要求5所述的氧化硅钝化层的制备方法，其特征在于，所述退火的温度为400℃～700℃；所述退火的时间为10min～40min。
7.根据权利要求1～4中任一项所述的氧化硅钝化层的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中还包括在所述第IVB族金属的氧化物薄膜上制备氮化硅薄膜。
8.根据权利要求7所述的氧化硅钝化层的制备方法，其特征在于，所述氮化硅薄膜的厚度为50nm～200nm。
9.根据权利要求8所述的氧化硅钝化层的制备方法，其特征在于，所述氮化硅薄膜采用PECVD法制备得到。
10.根据权利要求1～4中任一项所述的氧化硅钝化层的制备方法，其特征在于，所述硅片为p型硅片或n型硅片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
