[发明专利]堆叠的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种堆叠的半导体器件，包括：

在垂直方向上堆叠的多个半导体管芯；以及

布置在所述半导体管芯之间的凸块层中的多个热机械凸块，

其中相比于在其它位置处，较少热机械凸块被布置在靠近所述半导体管芯中包括的热源的位置处，或者在靠近所述热源的所述位置处的热机械凸块的结构不同于在其它位置处的热机械凸块的结构。

2.如权利要求1所述的堆叠的半导体器件，其中在第一凸块层中的热机械凸块的布置或结构不同于在第二凸块层中的热机械凸块的布置或结构。

3.如权利要求1所述的堆叠的半导体器件，其中所述半导体管芯包括包含所述热源的第一半导体管芯和包含易受热影响的区域的第二半导体管芯，以及

其中在所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯之间的凸块层中的热机械凸块的数量小于在其它凸块层中的热机械凸块的数量。

4.如权利要求1所述的堆叠的半导体器件，其中所述半导体管芯包括包含所述热源的第一半导体管芯和包含易受热影响的区域的第二半导体管芯，以及

其中在所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯之间的凸块层中的热机械凸块的导热率低于在其它凸块层中的热机械凸块的导热率。

5.如权利要求1所述的堆叠的半导体器件，其中所述半导体管芯包括包含所述热源的第一半导体管芯和包含易受热影响的区域的第二半导体管芯并且所述第二半导体管芯在向上方向上或在向下方向上邻近于所述第一半导体管芯，以及

其中在所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯之间的凸块层中靠近所述热源的区域处的热机械凸块的密度低于在所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯之间的所述凸块层中其它区域处的热机械凸块的密度。

6.如权利要求1所述的堆叠的半导体器件，其中所述半导体管芯包括包含所述热源的第一半导体管芯和包含易受热影响的区域的第二半导体管芯并且所述第二半导体管芯在向上方向上或在向下方向上邻近于所述第一半导体管芯，以及

其中在所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯之间的凸块层中靠近所述热源的区域处的导热率低于在所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯之间的凸块层中其它区域处的导热率。

7.如权利要求1所述的堆叠的半导体器件，还包括：

布置在包括所述热源的所述半导体管芯之上或之下的散热器，以及

其中在所述散热器和包括所述热源的所述半导体管芯之间的凸块层中靠近所述热源的区域处的热机械凸块的密度低于在所述散热器和包括所述热源的所述半导体管芯之间的所述凸块层中在其它区域处的热机械凸块的密度。

8.如权利要求1所述的堆叠的半导体器件，还包括：

形成在包括所述热源的所述半导体管芯的顶表面或底表面上的热阻挡层。

9.如权利要求1所述的堆叠的半导体器件，还包括：

热传导线，其被形成在包括所述热源的所述半导体管芯的顶表面或底表面上，使得所述热传导线的第一端接触靠近所述热源的区域以及所述热传导线的第二端不接触所述热源。

10.如权利要求9所述的堆叠的半导体器件，其中热机械凸块没有被定位在所述热传导线的所述第一端处并且热机械凸块被布置在所述热传导线的所述第二端上。

11.如权利要求9所述的堆叠的半导体器件，其中热机械凸块没有被定位在所述热传导线的所述第一端处并且键合线被布置在所述热传导线的所述第二端处。

12.如权利要求1所述的堆叠的半导体器件，其中所述堆叠的半导体器件是存储器件并且所述存储器件的多个功能块被分布和集成在所述半导体管芯中。

13.一种制造堆叠的半导体器件的方法，包括：

在垂直方向上堆叠多个半导体管芯；

在所述半导体管芯之间的凸块层中布置多个热机械凸块；以及

基于所述半导体管芯中包括的热源的位置改变所述热机械凸块的位置或结构。

14.如权利要求13所述的方法，其中改变所述热机械凸块的位置或结构包括：

减少在更靠近包括所述热源的所述半导体管芯的位置处的热机械凸块的数量或者增加在更远离包括所述热源的所述半导体管芯的位置处的热机械凸块的数量。