[发明专利]一种标准单元库的版图结构有效
申请号: | 201611104107.6 | 申请日: | 2016-12-05 |
公开(公告)号: | CN106783840B | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 廖春和;何洪楷;朱敏 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 31272 上海申新律师事务所 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 标准 单元 版图 结构 | ||
1.一种标准单元库的版图结构,所述版图结构对应芯片版图设计中的有源器件,其特征在于,所述版图结构包括:
左边界,所述左边界包括至少两个区段,所述左边界的至少一个区段与对应所述有源器件的电源线的电源线图形和/或对应所述有源器件的地线的地线图形重合;
右边界,所述右边界包括至少两个区段,所述右边界的至少一个区段与对应所述有源器件的地线的地线图形和/或对应所述有源器件的电源线的电源线图形重合;
复数个通孔图形,所述电源线图形上以及所述地线图形上分别设有至少一个所述通孔图形,每个所述通孔图形分别用于所述有源器件与所述电源线/所述地线连接;
所述电源线图形的宽度为所述有源器件实际电源线宽度的二分之一;
所述地线图形的宽度为所述有源器件实际地线宽度的二分之一;
所述通孔图形的宽度为所述有源器件实际通孔宽度的二分之一。
2.如权利要求1所述标准单元库的版图结构,其特征在于,所述版图结构还包括:
电源总线图形,所述电源总线图形对应电源总线,所述电源总线图形与所述版图结构的上边界重合;
地总线图形,所述地总线图形对应地总线,所述地总线图形与所述版图结构的下边界重合,所述电源总线图形与所述地总线图形平行。
3.如权利要求2所述标准单元库的版图结构,其特征在于,所述有源器件包括两个所述电源线、P型有源区、栅极、输入端以及输出端;
所述版图结构包括:
两个电源线图形,每个所述电源线图形分别对应所述电源线,每个所述电源线图形分别与所述电源总线图形垂直且连接;
P型有源区图形,所述P型有源区图形对应所述P型有源区,所述电源总线图形通过所述电源线图形与所述P型有源区图形连接;
栅极图形,所述栅极图形对应所述栅极,所述栅极图形与所述P型有源区图形连接;
输入端图形,所述输入端图形对应所述输入端,所述输入端图形与所述栅极图形连接;
输出端图形,所述输出端图形对应所述输出端,所述输出端图形与所述P型有源区图形中对应所述P型有源区的漏极区域连接。
4.如权利要求3所述标准单元库的版图结构,其特征在于,所述有源器件包括第一通孔;
所述版图结构包括:
第一通孔图形,所述第一通孔图形的位置对应所述电源线与所述P型有源区的连接点。
5.如权利要求2所述标准单元库的版图结构,其特征在于,所述有源器件包括两个所述地线、N型有源区、栅极、输入端以及输出端;
两个地线图形,每个所述地线图形分别对应所述地线,每个所述地线图形分别与所述地总线图形垂直且连接;
N型有源区图形,所述N型有源区图形对应所述N型有源区,所述地总线图形通过所述地线图形与所述N型有源区图形连接;
栅极图形,所述栅极图形对应所述栅极,所述栅极图形与所述N型有源区图形连接;
输入端图形,所述输入端图形对应所述输入端,所述输入端图形与所述栅极图形连接;
输出端图形,所述输出端图形对应所述输出端,所述输出端图形与所述N型有源区图形中对应所述N型有源区的漏极区域连接。
6.如权利要求5所述标准单元库的版图结构,其特征在于,所述有源器件包括第二通孔;
所述版图结构包括:
第二通孔图形,所述第二通孔图形的位置对应所述地线与所述N型有源区的连接点。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司,未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611104107.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种化合物电池发光装置
- 下一篇:多环p型电极和螺旋线圈的可见光通信器件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的