[发明专利]一种同步整流开关、电路及芯片

权利要求书

1.一种同步整流开关，应用于同步整流电路，其特征在于，所述开关包括第一电压采样电路、第二电压采样电路、比较器、驱动器以及功率器件，所述功率器件为MOS管或IGBT，其中：

所述第一电压采样电路的输入端作为所述同步整流开关的第一采样端，其输出端与所述比较器的第一输入端连接；所述第二电压采样电路的输入端作为所述同步整流开关的第二采样端，其输出端与所述比较器的第二输入端连接；所述比较器的输出端与所述驱动器的输入端连接，所述驱动器的输出端与所述功率器件的控制端连接，所述功率器件的第一端作为所述同步整流开关的第一端，所述功率器件的第二端作为所述同步整流开关的第二端；当所述比较器的第一输入端电压大于所述比较器的第二输入端电压时，所述功率器件导通，否则，所述功率器件断开。

2.根据权利要求1所述的同步整流开关，其特征在于，当所述功率器件为MOS管时，所述MOS管为NMOS，所述NMOS的栅极作为所述MOS管的控制端，其漏极作为所述MOS管的第一端，其源极作为所述MOS管的第二端；所述比较器的正相输入端作为所述比较器的第一输入端；所述比较器的反相输入端作为所述比较器的第二输入端。

3.根据权利要求1所述的同步整流开关，其特征在于，当所述功率器件为MOS管时，所述MOS管为PMOS，所述PMOS的栅极作为所述MOS管的控制端，其源极作为所述MOS管的第一端，其漏极作为所述MOS管的第二端；所述比较器的正相输入端作为所述比较器的第二输入端；所述比较器的反相输入端作为所述比较器的第一输入端。

4.根据权利要求1所述的同步整流开关，其特征在于，当所述功率器件为IGBT时，所述IGBT为一个IGBT，所述一个IGBT的栅极作为所述IGBT的控制端，其集电极作为所述IGBT的第一端，其发射极作为所述IGBT的第二端。

5.根据权利要求1所述的同步整流开关，其特征在于，当所述功率器件为IGBT时，所述IGBT为IGBT模块，所述IGBT模块的栅极作为所述IGBT的控制端，其集电极作为所述IGBT的第一端，其发射极作为所述IGBT的第二端。

6.根据权利要求1-5任一项所述的同步整流开关，其特征在于，所述第一电压采样电路包括第一电阻和第二电阻，所述第二电压采样电路包括第三电阻和第四电阻，其中：

所述第一电阻的第一端作为所述第一电压采样电路的输入端，其第二端与所述第二电阻的第一端连接，其公共端作为所述第一电压采用电路的输出端；所述第二电阻的第二端接地；

所述第三电阻的第一端作为所述第二电压采样电路的输入端，其第二端与所述第四电阻的第一端连接，其公共端作为所述第二电压采样电路的输出端；所述第四电阻的第二端接地。

7.根据权利要求1-5任一项所述的同步整流开关，其特征在于，所述驱动器包括NPN型三极管、PNP型三极管、第五电阻以及第六电阻，其中：所述NPN型三极管的基极与所述PNP型三极管的基极连接，其公共端作为所述驱动器的输入端；所述NPN型三极管的集电极接电源，所述NPN型三极管的发射极与所述PNP型三极管的发射极连接，其公共端接所述第五电阻的第一端，所述第五电阻的第二端与所述第六电阻的第一端连接，其公共端作为所述驱动器的输出端，所述PNP型三极管的集电极和所述第六电阻的第二端均接地。

8.一种同步整流电路，其特征在于，包括信号电源、电感和电容，所述同步整流电路还包括如权利要求1-7任一项所述的同步整流开关，其中：

所述同步整流开关的第一采样端分别与所述信号电源的第一输出端和所述电感的第一端连接；所述同步整流开关的第二采样端分别与所述电感的第二端和所述电容的第一端连接，其公共端作为所述同步整流电路的输出端；所述同步整流开关的第一端与所述信号电源的第二输出端连接；所述同步整流开关的第二端与所述电容的第二端连接，其公共端接地；当所述同步整流开关的第一采样端电压大于所述同步整流开关的第二采样端电压时，所述同步整流开关导通。