[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在基板上的第一电介质层中形成凹槽，所述第一电介质层包括在所述凹槽之间的第一部分；

在每个凹槽中形成第一阻挡层；

在所述第一阻挡层上形成互连层以填充每个凹槽；

使所述互连层和所述第一阻挡层凹陷；

在凹陷的所述互连层上形成覆盖图案，所述覆盖图案不形成在所述第一部分上；

通过第一蚀刻工艺蚀刻所述第一部分的至少一部分；

通过第二蚀刻工艺蚀刻由所述第一蚀刻工艺蚀刻了的所述第一部分的所述至少一部分和所述覆盖图案以形成沟槽；

在所述沟槽的侧壁和底表面上以及在凹陷的所述互连层的顶表面上共形地形成第二阻挡层；以及

在所述第二阻挡层上形成第二电介质层而不填充所述沟槽，使得气隙形成在所述凹槽之间的所述第一部分中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一阻挡层包括导电材料，所述第二阻挡层包括绝缘材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述覆盖图案包括AlN。

4.根据权利要求3所述的方法，其中形成所述覆盖图案包括：

在凹陷的所述互连层和所述第一部分上沉积AlN以形成覆盖层，所述覆盖层包括在凹陷的所述互连层上的由AlN形成的第一部和在所述第一部分上的由AlNO形成的第二部；以及

选择性去除所述第一部分上的所述第二部以在凹陷的所述互连层上形成包括AlN的所述覆盖图案。

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述覆盖图案包括形成顺序地堆叠的第一覆盖图案、第二覆盖图案和第三覆盖图案。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一覆盖图案包括Co，所述第二覆盖图案包括CoSiN，所述第三覆盖图案包括AlN。

7.根据权利要求6所述的方法，其中形成顺序堆叠的第一覆盖图案、第二覆盖图案和第三覆盖图案包括：

在凹陷的所述互连层上沉积Co以形成包括Co的所述第一覆盖图案；

对所述第一覆盖图案进行硅化工艺和氮化工艺以在所述第一覆盖图案上形成包括CoSiN的所述第二覆盖图案；

在所述第二覆盖图案、所述第一阻挡层和所述第一部分上沉积AlN以形成覆盖层，所述覆盖层包括在凹陷的所述互连层上的由AlN形成的第一部和在所述第一部分上的由AlNO形成的第二部；以及

选择性去除所述第一部分上的所述第二部以在凹陷的所述互连层上形成包括AlN的所述第三覆盖图案。

8.根据权利要求6所述的方法，其中通过第二蚀刻工艺蚀刻由所述第一蚀刻工艺蚀刻了的所述第一部分的所述至少一部分和所述覆盖图案包括：去除所述第二覆盖图案和所述第三覆盖图案以在凹陷的所述互连层上留下所述第一覆盖图案。

9.根据权利要求8所述的方法，其中共形地形成第二阻挡层包括：在凹陷的所述互连层上的所述第一覆盖图案上形成接触所述第一覆盖图案的第二阻挡层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一蚀刻工艺包括干蚀刻工艺。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二蚀刻工艺包括EKC去除工艺、NH₃RF等离子体工艺和氢氟酸去除工艺中的至少一个。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一蚀刻工艺包括进行干蚀刻工艺，并且

所述第二蚀刻工艺包括：

进行EKC去除工艺；然后

进行NH₃RF等离子体工艺和氢氟酸去除工艺。