[发明专利]线圈装置的制造方法及线圈装置

权利要求书

1.一种制造线圈装置的方法，包括：

通过将铜箔结合到基体层形成种子层；

通过蚀刻所述种子层去除所述铜箔的一部分而形成图案化的种子层；

在所述图案化的种子层上镀覆镀层，

其中，所述图案化的种子层形成为使得所述图案化的种子层的两端彼此电连接，镀覆镀层的步骤包括将连接所述图案化的种子层的两端的连接部分接地或将负电压施加到所述连接部分，以使所述图案化的种子层具有接地电压或负电压，

并且所述方法还包括在执行镀覆镀层的步骤之后将所述图案化的种子层的两端分开。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述图案化的种子层的步骤包括：

在铜箔上涂覆干膜；

通过曝光和显影去除干膜的一部分；

进行蚀刻以去除铜箔的已去除了干膜的部分；

剥离剩余的干膜。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述线圈装置包括第一线圈和第二线圈，第一线圈和第二线圈形成所述图案化的种子层，以使第一线圈的种子层的第一端连接到第二线圈的种子层的第一端，第一线圈的种子层的第二端连接到第二线圈的种子层的第二端，镀覆镀层的步骤包括通过第一线圈的种子层的第一端和第一线圈的种子层的第二端施加电压。

4.根据权利要求3所述的方法，所述方法还包括将第一线圈的种子层的第一端与第二线圈的种子层的第一端分开以及将第一线圈的种子层的第二端与第二线圈的种子层的第二端分开。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图案化的种子层仅包括铜箔，所述镀层仅通过镀覆工艺形成。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，通过曝光和显影去除干膜的所述部分的步骤包括：

响应于使干膜曝光，所述干膜的曝光的部分变为光固化聚合物，所述干膜的未曝光的部分成为未固化的单体；

响应于将种子层浸入显影溶液中，去除所述干膜的未固化的单体部分。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述种子层的导电性高于所述基体层的导电性。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述铜箔通过热压工艺结合到基体层。

9.一种制造线圈装置的方法，包括：

通过将铜箔结合到基体层的相对表面来形成第一种子层和第二种子层；

通过蚀刻第一种子层和第二种子层去除铜箔的一部分，以形成第一图案化的种子层和第二图案化的种子层；

在第一图案化的种子层和第二图案化的种子层上分别镀覆第一镀层和第二镀层，

其中，第一图案化的种子层和第二图案化的种子层形成为使得第一图案化的种子层的两端分别与第二图案化的种子层的两端电连接，镀覆第一镀层和第二镀层的步骤包括将连接所述第一图案化的种子层的两端和所述第二图案化的种子层的两端中的全部的连接部分接地或将负电压施加到所述连接部分，以使所述第一图案化的种子层和所述第二图案化的种子层具有接地电压或负电压，

并且所述方法还包括在执行镀覆第一镀层和第二镀层的步骤之后将第一图案化的种子层的两端和第二图案化的种子层的两端分开。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成第一图案化的种子层和第二图案化的种子层的步骤包括：

在第一种子层和第二种子层中的每个上涂覆干膜；

响应于使用遮蔽部覆盖干膜的涂覆在第一种子层和第二种子层的每个上的一部分，干膜的曝光的部分变为光固化聚合物，干膜的未曝光的部分为未固化的单体；

响应于将第一种子层和第二种子层浸入显影溶液中，去除干膜的在第一种子层和第二种子层中的每个上的未固化的单体部分；

蚀刻第一种子层和第二种子层以去除铜箔的已去除了干膜的部分；

进行剥离，以从第一图案化的种子层和第二图案化的种子层去除剩余的干膜。

11.根据权利要求9所述的方法，所述方法还包括：

在所述基体层中形成过孔，以连接形成在所述基体层的相对表面上的第一图案化的种子层和第二图案化的种子层。