[发明专利]用于非易失性存储器系统以及存储器控制器的操作的方法

说明书

提供用于非易失性存储器系统以及存储器控制器的操作的方法。一种操作包括具有多个存储器块的非易失性存储器装置的非易失性存储器系统的方法包括：选择非易失性存储器系统中的多个存储器块中的源块；基于已经对源块执行的编程和擦除循环的次数，执行针对源块的回收操作。

要求于2015年12月3日提交到韩国知识产权局的第10-2015-0171644号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

本发明构思的实施例涉及半导体存储器，更加具体地说，涉及操作存储装置的方法。

背景技术

半导体存储器使用半导体材料(诸如，硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)等)来实现。半导体存储器装置大致可以分为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。

易失性存储器装置在断电时丢失存储在其中的数据。易失性存储器装置可以是静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)或同步DRAM。非易失性存储器装置即使在断电时也能保持存储在其中的数据。非易失性存储器装置可以是只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存装置、相变RAM(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)和铁电RAM(FRAM)。

具体地说，闪存装置是高容量存储装置，并广泛用于各种领域。闪存装置是非易失性存储器装置，但会由于各种因素(诸如，温度、读干扰、编程干扰(program disturbance)和电荷损失)而丢失存储在其中的数据。因此，正在发展用于保证存储在闪存装置中的数据的完整性的各种方法。

发明内容

本发明构思的实施例提供可提高性能和可靠性的非易失性存储器系统的操作方法。

根据本发明构思的实施例，一种用于非易失性存储器系统的操作的方法包括：选择非易失性存储器系统中的多个存储器块中的源块；基于已经对源块执行的编程和擦除循环的次数，执行针对源块的回收操作。

根据本发明构思的另一实施例，一种非易失性存储器系统的操作的方法包括：从非易失性存储器系统中的多个存储器块选择源块；基于选择的源块的编程和擦除循环的次数，来调整源块的回收策略；基于调整的回收策略，执行针对选择的源块的回收操作。

根据本发明构思的另一实施例，一种用于控制非易失性存储器装置的存储器控制器的操作方法包括：从非易失性存储器系统包括的多个存储器块选择源块；基于选择的源块的编程和擦除循环的次数，执行选择的源块的回收操作。可执行回收操作的周期随着选择的源块的编程和擦除循环的次数增加而减少。

仍根据本发明构思的另一实施例，提供了一种用于包括具有多个存储器块的非易失性存储器装置的非易失性存储器系统的操作的方法。所述方法包括：为回收操作的第一参数选择值，其中，第一参数影响由于回收操作而导致的非易失性存储器系统的操作的开销；从非易失性存储器系统中的所述多个存储器块中选择源块；并使用回收操作的第一参数的选择的值执行源块的回收操作，其中，为回收操作的第一参数选择值的步骤基于与一个或多个误码在源块中发生的概率有关的源块的第二参数的值。

附图说明

从下面参照以下附图的描述，上述和其他主题以及特征将会变得清楚，其中，除非另外规定，否则贯穿各个附图，相同的参考标号表示相同的部分，其中：

图1是示出根据本发明构思的实施例的非易失性存储器系统的框图。

图2是示出图1的非易失性存储器系统的软件层的框图。

图3是示出图1的存储器控制器的框图。

图4是示出图1的非易失性存储器装置的框图。

图5是示出图1的非易失性存储器系统的回收操作的框图。