[发明专利]高压谐频水解制备氢氧的设备

权利要求书

1.高压谐频水解制备氢氧的设备，其特征在于：其包括功率控制电路（1）、与功率控制电路（1）电性连接的频率控制电路（2）、与功率控制电路（1）电性连接且与频率控制电路（2）电性连接的共振腔模组（3）及与共振腔模组（3）连接的气体收集模组（4）；所述功率控制电路（1）包括交流电输入接口一（11）、与交流电输入接口一（11）电性连接的斩波电路（12）及与斩波电路（12）电性连接的交流电输出接口一（13）；所述共振腔模组（3）包括第二接口（31）、整流桥一（32）、第三接口（33）、第五电阻（34）、光耦隔离器（35）、第六电阻（37）、电容九（36）、晶闸管（38）、二极管一（39）、二极管二（310）及电容电感共振腔（311）；所述第二接口设有第二接口的引脚一和第二接口的引脚二，整流桥一设有整流桥一的电源输入引脚一、整流桥一的电源输入引脚二、整流桥一的直流输出负极引脚和整流桥一的直流输出正极引脚，第五电阻设有第五电阻的正极和第五电阻的负极，光耦隔离器设有光耦隔离器的引脚一、耦器的引脚二、耦器的引脚三、耦器的引脚四、耦器的引脚五和耦器的引脚六，电容九设有电容九的正极和电容九的负极，第六电阻设有第六电阻的正极和第六电阻的负极，晶闸管设有晶闸管的阳极、晶闸管的阴极和晶闸管的控制极，二极管一设有正极一和负极一，二极管二设有正极二和负极二，电容电感共振腔设有共振腔的引脚一、共振腔的引脚二、共振腔的引脚三、共振腔的引脚四和共振腔的引脚五；第二接口的引脚一与整流桥一的电源水引脚二连接，第二接口的引脚二与镇流桥一的电源输入引脚一连接，整流桥一的直流输出负极引脚接地，整流桥一的直流输出正极引脚同时连接于共振腔的引脚三、第六电阻的负极、晶闸管的阳极和二极管一的负极一，第三接口设有第三接口的引脚一和第三接口的引脚二，第三接口的引脚一连接第六输出引脚，第三接口的引脚二连接于第五电阻的正极，第五电阻的负极连接于光耦隔离器的引脚一，光耦隔离器的引脚二连接地线，光耦隔离器为MOC3081光耦隔离器，光耦隔离器的引脚四连接于晶闸管的控制极和电容九的负极，光耦隔离器的引脚五均连接于电容九的正极和第六电阻的正极，晶闸管的负极均连接于二极管一的正极一和铒激光二的正极二，二极管二的负极二电性连接于共振腔的引脚四，共振腔的引脚五连接于地线，共振腔的引脚二连接于地线，共振腔的引脚一连接于反相器（26）的正极引脚。

2.根据权利要求1所述的高压谐频水解制备氢氧的设备，其特征在于：所述交流电输入接口一（11）设有三个引脚，分别为交流电输入接口一的第一引脚、交流电输入接口一的第二引脚及交流电输入接口一的第三引脚；所述交流电输出接口一（13）设有交流电输出接口一（13）的第一引脚和交流电输出接口一（13）的第二引脚；所述斩波电路（12）包括一端与交流电输入接口一的第三引脚电性连接的电容一（121）、电位器一（122）、电容二（123）、电感器一（125）及双向可控硅（124）；所述电容一（121）设有电容一的正极和电容一的负极，所述电位器一（122）设有电位器一的输入引脚、电位器一的接地引脚和电位器一的中间引脚，所述电感一（125）设有电感一的正极和电感一的负极，所述电容二（123）设有电容二的正极和电容二的负极，所述双向可控硅（124）设有双向可控硅的控制极、双向可控硅的阴极和双向可控硅的阳极；所述交流电输入接口一的第一引脚与交流电输出接口一（13）的第二引脚连接，所述交流电输入接口一的第二引脚连接一导线，所述交流电输入接口一的第三引脚同时连接电容一的正极和电感一的正极，所述电容一的负极同时连接于电位器一的输入引脚和交流电输出接口一（13）的第一引脚，所述电位器一的接地引脚同时连接于电容二的负极和双向可控硅的控制极，双向可控硅的阳极与交流电输出接口一（13）的第一引脚连接，双向可控硅的阴极同时连接电感一的负极和电容二的正极。

3.根据权利要求2所述的高压谐频水解制备氢氧的设备，其特征在于：所述电容一（121）为250V的电容一，且所述电容一（121）为473K法拉的电容一；所述电位器一（122）为250K欧姆的电位器一；所述电容二（123）为250V的电容二，且所述电容二（123）为683K法拉的电容二；所述电感一（125）为22uH的电感一。