[发明专利]半导体器件中的局部互连件的制造方法及半导体器件

说明书

本发明提供一种半导体器件，包括设置在衬底上的第一栅电极、第一源极/漏极区以及将第一栅电极与第一源极/漏极区连接的局部互连件。局部互连件设置在衬底与第一金属布线层之间，其中，电源供电线设置在第一金属布线层中。局部互连件在平面图中具有钥匙孔形状，并且具有头部、颈部和通过颈部连接至头部的主体部分。头部设置在第一栅电极上方，并且主体部分设置在第一源极/漏极区上方。本发明还提供了半导体器件中的局部互连件的制造方法。

技术领域

本发明的实施例涉及一种用于制造半导体器件的方法，更具体地，涉及用于连接栅电极与源极/漏极区的局部互连件的结构及制造方法。

背景技术

随着具有复杂布局结构的半导体器件的尺寸的减小，已经开发了将源极/漏极区连接至另一源极/漏极区或栅电极的局部互连件。布局互连件是设置在第一金属布线层下面的导电层，并且连接具有相对较短距离的元件。例如，在静态随机存取存储器(SRAM)中，局部互连件可以用于将一个反相器的输出节点(源极/漏极)连接至另一反相器的输入节点(栅极)。需要提供用于具有改进的工艺变化电阻(process variation resistance)的局部互连件的结构和制造工艺。

发明内容

根据本发明的一方面，提供了一种半导体器件，包括：第一栅电极，设置在衬底上；第一源极/漏极区；以及局部互连件，将所述第一栅电极与所述第一源极/漏极区连接，其中：所述局部互连件设置在所述衬底与第一金属布线层之间，其中，电源供电线设置在所述第一金属布线层中，从上往下看时，所述局部互连件具有钥匙孔形状，并且所述局部互连件具有头部、颈部和通过所述颈部连接至所述头部的主体部分，和所述头部设置在所述第一栅电极上方，并且所述主体部分设置在所述第一源极/漏极区上方。

根据本发明的另一方面，提供了一种静态随机存取存储器(SRAM)，包括：第一场效应晶体管(FET)，具有第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一栅极耦合至字线，所述第一漏极耦合至第一位线；第二FET，具有第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二漏极耦合至第一电源供电线；第三FET，具有第三栅极、第三源极和第三漏极，所述第三漏极耦合至第二电源供电线；第四FET，具有第四栅极、第四源极和第四漏极，所述第四栅极耦合至所述字线，并且所述第四漏极耦合至第二位线；第五FET，具有第五栅极、第五源极和第五漏极，所述第五漏极耦合至所述第一电源供电线；第六FET，具有第六栅极、第六源极和第六漏极，所述第六漏极耦合至所述第二电源供电线，其中：所述第二栅极和所述第三栅极共用第一栅电极层，并且所述第五栅极和所述第六栅极共用第二栅电极层，所述第一源极、所述第二源极、所述第三源极和所述第二栅电极层通过第一局部互连件电连接，所述第四源极、所述第五源极、所述第六源极和所述第一栅电极层通过第二局部互连件电连接，所述第一局部互连件和所述第二局部互连件设置在衬底与第一金属布线层之间，其中，所述第一位线和所述第二位线以及所述第二电源供电线设置在所述第一金属布线层中，从上往下看，将所述第二栅电极层与所述第三FET的第三源极连接的所述第一局部互连件的一部分具有钥匙孔形状，并且所述第一局部互连件的一部分具有头部、颈部和通过所述颈部连接至所述头部的主体部分，以及所述头部设置在所述第二栅电极层上方，并且所述主体部分设置在所述第三FET的第三源极上方。