[发明专利]一种降低铸锭多晶硅片表面反射率的方法

权利要求书

1.一种降低铸锭多晶硅片表面反射率的方法，其特征在于，主要步骤如下：

（1）清洗：采用标准RCA清洗方法清洗铸锭多晶硅片；

（2）第一次酸腐蚀：按体积比HNO₃：HF：CH₃COOH=1:7:3~10:7:3配置腐蚀液，腐蚀液温度为2~10℃，将清洗后的铸锭多晶硅片浸入其中腐蚀40~80s；

（3）碱腐蚀：将处理后的硅片浸入温度为40~90℃、质量分数为5%~15%的NaOH溶液进行碱腐蚀40~120s，然后用去离子水冲洗干净；

（4）第二次酸腐蚀：按体积比HNO₃：HF：H₂O：CH₃COOH=1:1:2.5:1.5~10:1:2.5:1.5配置腐蚀液，腐蚀液温度为2~10℃，将上述硅片浸入其中腐蚀100~180s；

（5）碱洗：采用温度为40~90℃、质量分数为1%~10%的NaOH溶液对上述处理后的硅片进行清洗10~60s，除去残留的酸腐蚀液以及腐蚀坑上覆盖的疏松结构；

（6）表面钝化：先用标准的RCA液清洗上述硅片，再用质量分数为1~10%的HF溶液浸泡1~10min，最后去离子水冲洗干净，用氮气吹干。