[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201611096841.2 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN107017289A | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 泽井敬一;渡边裕二 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/288 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳,池兵 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
做进到硅衬底的单面中的、含有V族元素作为杂质的杂质区域；和
在所述硅衬底的所述单面上，以覆盖所述杂质区域的方式设置的镍膜，
所述杂质区域的V族元素与所述镍膜的镍元素化学键合。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
在所述杂质区域的最外表面，杂质浓度为1.0×1020atoms/cm3以上。
3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于：
所述镍膜的厚度在200nm～1000nm的范围内。
4.一种半导体器件的制造方法，其为制造在硅衬底的单面具有镍膜的半导体器件的制造方法，所述半导体器件的制造方法的特征在于：
在所述硅衬底的所述单面做进包含V族元素作为杂质的杂质区域之后，
在所述硅衬底的所述单面上，通过无电解镀镍法以覆盖所述杂质区域的方式形成所述镍膜，由此，使所述杂质区域的V族元素与所述镍膜的镍元素化学键合。
5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：
在形成所述镍膜之后，在200℃～400℃的范围内的温度进行退火处理。
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