[发明专利]阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本公开至少一实施例涉及一种阵列基板和显示装置。

背景技术

大尺寸氧化物阵列基板目前处于量产和性能提升阶段，量产的氧化物阵列基板基本上为刻蚀阻挡层(Etching Stop Layer，ESL)结构。虽然刻蚀阻挡层氧化物阵列基板的技术水平已经量产，但是由于氧化物阵列基板的器件信赖性和可靠性问题使得目前产品一直存在补偿方式复杂、繁琐(比如使用光学补偿、内部电学补偿、外部电学补偿等)和寿命有待提高的问题，并且性能有待提升以适用苛刻环境，如军用产品、高温、潮湿环境。

发明内容

本公开的至少一实施例涉及一种阵列基板和显示装置，以提高阵列基板的稳定性、可靠性和信赖性+效果/解决的问题。

本公开的至少一实施例提供一种阵列基板，包括衬底基板和依次设置在所述衬底基板上的第一导电层和第二导电层，其中，在所述第一导电层和所述第二导电层之间设置至少两个在垂直于所述衬底基板的方向上连续形成的钝化层。

本公开的至少一实施例还提供一种显示装置，包括本公开实施例所述的任一阵列基板。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。

图1为ITO与树脂(resin)接触不良的扫描电子显微镜(scanning electron microscope，SEM)照片；

图2为邦定区击穿示意图；

图3为本公开一实施例提供的阵列基板的俯视图；

图4为图3的A-B向剖视图；

图5a为本公开一实施例提供的图3的邦定区的一种俯视图；

图5b为本公开一实施例提供的图3的邦定区的另一种俯视图；

图6a为本公开一实施例提供的在衬底基板上形成第三导电层；

图6b为本公开一实施例提供的在第三导电层上形成栅极绝缘层和有源层；

图6c为本公开一实施例提供的在有源层上形成刻蚀阻挡层；

图6d为本公开一实施例提供的在刻蚀阻挡层上形成第一导电层；

图6e为本公开一实施例提供的在第一导电层上形成至少两个在垂直于衬底基板的方向上连续形成的钝化层；

图6f为本公开一实施例提供的在至少两个在垂直于衬底基板的方向上连续形成的钝化层上形成第二导电层；

图7为本公开一实施例提供的一种显示装置(邦定前)的示意图；

图8a为本公开一实施例提供的一种显示装置的邦定区的剖视图；

图8b为本公开一实施例提供的一种显示装置的邦定区(ACF胶具有裂纹)的剖视图；

图9为本公开一实施例提供的一种显示装置(包括显示区和周边区)的剖视图；

附图标记：

01-显示区；02-周边区；021-邦定区；101-衬底基板；106-第一导电层；110-第二导电层；107-第一钝化层；108-第二钝化层；109-第三钝化层；102-第三导电层；1060-第一导电结构；1101-第二导电结构；115-凹槽；1151-凹槽的间隔部；1152-凹槽的连接部；201-电路板；202-连接电极层；2020-连接电极；0301-裂纹；10-阵列基板；20-对置基板。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。