[发明专利]间隔件结构及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造间隔件结构的方法，其包括：

在衬底上方形成第一导电结构、第二导电结构以及第三导电结构；

形成介电层，其覆盖所述衬底、所述第一导电结构、所述第二导电结构以及所述第三导电结构；

形成具有对应于所述第一导电结构的第一厚度以及对应于所述第二导电结构的第二厚度的硬掩模层，以阻挡放置于所述第一导电结构以及所述第二导电结构上方的所述介电层，所述硬掩模层经多次沉积而使所述第二厚度小于所述第一厚度，以及暴露放置于所述第三导电结构上方的所述介电层；

蚀刻所述暴露的介电层以减少放置于所述第三导电结构上方的所述暴露的介电层的厚度；

阻挡放置于所述第一导电结构上方的所述介电层，以及暴露放置于所述第二导电结构以及所述第三导电结构上方的所述介电层；

蚀刻所述暴露的介电层以减少放置于所述第二导电结构以及所述第三导电结构上方的所述暴露的介电层的所述厚度；

暴露放置于所述第一导电结构、所述第二导电结构以及所述第三导电结构上方的所述介电层；以及

蚀刻所述介电层以在所述第一导电结构的侧壁上形成第一主要间隔件、在所述第二导电结构的侧壁上形成第二主要间隔件以及在所述第三导电结构的侧壁上形成第三主要间隔件，以及暴露所述第一导电结构的导电顶部表面、所述第二导电结构的导电顶部表面以及所述第三导电结构的导电顶部表面，其中所述第一主要间隔件的第一宽度大于所述第二主要间隔件的第二宽度，且所述第二主要间隔件的所述第二宽度大于所述第三主要间隔件的第三宽度，以及所述第一主要间隔件与所述第二主要间隔件经所述介电层相连接,以及所述第二主要间隔件与所述第三主要间隔件经所述介电层相连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述阻挡放置于所述第一导电结构上方的所述介电层以及暴露放置于所述第二导电结构以及所述第三导电结构上方的所述介电层的步骤是通过移除所述硬掩模层的一部份达成。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述暴露放置于所述第一导电结构、所述第二导电结构以及所述第三导电结构上方的所述介电层的步骤是通过移除所述硬掩模层达成。