[发明专利]泄放电器残余电压的装置、方法及具有该装置的用电器有效
申请号: | 201611094573.0 | 申请日: | 2016-12-02 |
公开(公告)号: | CN106655361B | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 陈定武;刘明耀;刘玉婷;施芬芬;贺凯;朱永哲;王宏斌;刘柏龙;李想;吴涛 | 申请(专利权)人: | 珠海格力电器股份有限公司 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
代理公司: | 北京煦润律师事务所 11522 | 代理人: | 左萌 |
地址: | 519070 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电器 残余 电压 装置 方法 具有 用电 | ||
1.一种泄放电器残余电压的装置,其特征在于,包括至少一个开关,所述开关的一端与负载连接,所述开关的另一端与芯片IO口连接,所述开关在电器断电时导通泄放残余电压;
所述芯片IO口包括第一芯片IO口,所述开关包括第一三极管;所述第一三极管的基极通过电阻和上拉电阻与所述第一芯片IO口连接,所述第一三极管的发射极接地且集电极与所述负载连接;所述第一芯片IO口为开漏IO口;在电器断电时,通过所述第一芯片IO口输出高阻态通过所述第一三级管的上拉电阻接通所述第一三极管,使所述电器泄放残余电压。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,
在负载工作时,通过所述第一芯片IO口输出高电平控制所述第一三极管接通工作;
在负载不工作时,通过所述第一芯片IO口输出低电平控制所述第一三极管关断。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,
所述芯片IO口包括第二芯片IO口,所述开关包括第二三极管;所述第二三极管的基极通过电阻与所述第二芯片IO口连接,所述第二芯片IO口为开漏IO口或普通IO口。
4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,
在负载工作时,通过所述第二芯片IO口输出高电平控制所述第二三极管接通工作,通过所述第一芯片IO口输出低电平控制所述第一三极管关掉;
在负载不工作时,通过所述第二芯片IO口输出低电平控制所述第二三极管关断,通过所述第一芯片IO口输出低电平控制所述第一三极管关断。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的装置,其特征在于,还包括所述第一三极管的集电极以及所述第二三极管的集电极与负载电路连接;所述负载电路包括连接所述负载的插座和二极管;所述连接所述负载的插座的一端与电源VCC相连接,另一端与所述第一三极管的集电极以及所述第二三极管的集电极相连接;所述二极管的正极与所述第一三极管的集电极以及所述第二三极管的集电极相连接,负极与所述电源VCC相连接。
6.一种用电器,具有如权利要求1-5中任一项所述的泄放电器残余电压的装置。
7.一种泄放电器残余电压的方法,其特征在于,包括:
设置至少一个开关,将所述开关的一端与负载连接;
将所述开关的另一端与芯片IO口连接,所述开关在所述电器断电时导通泄放残余电压;
所述芯片IO口包括第一芯片IO口,所述开关包括第一三极管;将所述第一三极管的基极通过电阻和上拉电阻与所述第一芯片IO口连接,所述第一三极管发射极接地且集电极与所述负载连接;所述第一芯片IO口为开漏IO口;
在电器断电时,通过所述第一芯片IO口输出高阻态,通过所述第一三级管的上拉电阻接通所述第一三极管,使所述电器泄放残余电压。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,
在负载工作时,通过所述第一芯片IO口输出高电平控制所述第一三极管接通工作;
在负载不工作时,通过所述第一芯片IO口输出低电平控制所述第一三极管关断。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,
所述芯片IO口包括第二芯片IO口,所述开关包括第二三极管;
将所述第二三极管的基极通过电阻与所述第二芯片IO口连接,所述第二芯片IO口为开漏IO口或普通IO口。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,
在负载工作时,通过所述第二芯片IO口输出高电平控制所述第二三极管接通工作,通过所述第一芯片IO口输出低电平控制所述第一三极管关掉;
在负载不工作时,通过所述第二芯片IO口输出低电平控制所述第二三极管关断,通过所述第一芯片IO口输出低电平控制所述第一三极管关断。
11.根据权利要求7-10中任一项所述的方法,其特征在于,还包括将所述第一三极管的集电极以及所述第二三极管的集电极与负载电路连接;所述负载电路包括连接所述负载的插座和二极管;所述连接所述负载的插座的一端与电源VCC相连接,另一端与所述第一三极管的集电极以及所述第二三极管的集电极相连接;所述二极管的正极与所述第一三极管的集电极以及所述第二三极管的集电极相连接,负极与所述电源VCC相连接。
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