[发明专利]一种晶体硅太阳能电池组件

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种晶体硅太阳能电池组件。

背景技术

存在于晶体硅光伏组件中的电路及其接地金属边框之间的高电压，会造成组件的光伏性能的衰减，称这种衰减为电势诱导衰减即PID。一般认为电池经过封装材料和组件边框所形成的路径所导致的漏电流是引起电势诱导衰减现象的主要原因，这就决定了封装材料和电池片在电势诱导衰减中起着关键性的作用。目前传统的晶体硅光伏组件大都用EVA封装，一般不具有抗PID性能，即使有部分抗PID作用，但是效果也都不明显；对于电池片的制备一直以来也只关注效率的提高，很少考虑电池片的抗PID性能。在实际电站应用中，用EVA和普通电池片封装的组件，其实际运行性能往往因为PID的影响而难以让人满意，现有技术中对此进行了多次技术改进都没有取得明显的效果；因此开发一款比较优异的抗PID的电池组件非常必要，以满足现实迫切的需要。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种克服上述问题的抗电势诱导衰减晶体硅太阳能电池组件。

为了解决上述问题，本发明采用的技术方案是：一种晶体硅太阳能电池组件，所述晶体硅太阳能组件从上到下依次为：前板、紫外线透过型热塑性聚烯烃、电池片、紫外线截止型热塑型聚烯烃、背板以及安装在背板下面的接线盒，所述电池片为聚光太阳能电池片，所述聚光太阳能电池片的正面细栅线对应部分为有效受光区域，所述聚光太阳能电池片的正面两边为主栅线，射入到有效受光区域的光能有效倍转换为电能，光电转换的电流通过正面细栅线进行收集后传至两边的主栅线上，在所述主栅线上沿其长度方向均匀分布有若干具有导电功能的导流柱，所述导流柱贯穿聚光太阳能电池片的晶体硅基体且与聚光太阳能电池片的背面电极A相连，所述导流柱将正面细栅线收集的电流传导至背面电极A上，作为聚光太阳能电池片的一极，所述聚光太阳能电池片背面、有效受光区域对应的背面电极B作为聚光太阳能电池片的另外一极。

作为优选，所述聚烯烃封装厚度0.6±0.05mm。该组件抗电势诱导衰减性能在(湿度85％温度85度加压-1000伏)条件下1000h小时衰减小于5％，而传统组件同样的条件下96h就衰减大于30％，更有甚着达到80％-90％。

作为优选，所述晶体硅太阳能电池组件的电池片为具有抗电势诱导衰减介质层的电池片，以代替普通电池片以增加抗电势诱导衰减的效果。

作为优选，所述晶体硅太阳能电池组件的前板为超白低铁钢化玻璃，其光的透过率达到92％-94％，提高光能的利用效率。

作为优选，所述超白低铁钢化玻璃接触空气的一面设置有增透膜，进一步提高光能转换效率。

作为优选，所述晶体硅太阳能电池组件的背板为高分子材料，以提高使用寿命和可控性，降低整体使用分摊成本。

作为优选，所述背面电极A与背面电极B之间设置有隔离区，所述有效受光区域的四周边缘为钝化区，以提高电池片的转换效率。

该晶体硅太阳能电池组件具有可靠性高、价格低廉、封装性能高、电势诱导衰减现象大大降低等优点。

附图说明

图1为本发明所述一种晶体硅太阳能电池组件的结构示意图。

图2为本发明中所述聚光太阳能电池片的结构示意图。

图3是图2的主视图。

图4是图2的后视图。

具体实施方式

下面结合具体实施例和附图对本发明作进一步的详细描述。

如图1-4所示，一种晶体硅太阳能电池组件，所述晶体硅太阳能组件从上到下依次为：前板1、紫外线透过型热塑性聚烯烃2、电池片3、紫外线截止型热塑型聚烯烃4、背板5以及安装在背板下面的接线盒6，所述电池片3为聚光太阳能电池片，所述聚光太阳能电池片的正面细栅线32对应部分为有效受光区域33，所述聚光太阳能电池片的正面两边为主栅线34，射入到有效受光区域33的光能有效倍转换为电能，光电转换的电流通过正面细栅线32进行收集后传至两边的主栅线34上，在所述主栅线34上沿其长度方向均匀分布有若干具有导电功能的导流柱35，所述导流柱35贯穿聚光太阳能电池片的晶体硅基体31且与聚光太阳能电池片的背面电极A36相连，所述导流柱35将正面细栅线32收集的电流传导至背面电极A36上，作为聚光太阳能电池片的一极，所述聚光太阳能电池片背面、有效受光区域33对应的背面电极B37作为聚光太阳能电池片的另外一极，所述背面电极A36与背面电极B37之间设置有隔离区38，所述有效受光区域33的四周边缘为钝化区39，以提高电池片的转换效率。