[发明专利]一种“三明治”型超快光电探测金属超结构的制作方法有效
| 申请号: | 201611092921.0 | 申请日: | 2016-12-02 |
| 公开(公告)号: | CN106409984B | 公开(公告)日: | 2017-10-24 |
| 发明(设计)人: | 王红亮;闫树斌;张志东;王继成;赵学峰;崔建功;薛晨阳;张文栋 | 申请(专利权)人: | 中北大学 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/09 |
| 代理公司: | 太原科卫专利事务所(普通合伙)14100 | 代理人: | 朱源 |
| 地址: | 030051 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 三明治 型超快 光电 探测 金属 结构 制作方法 | ||
1.一种“三明治”型超快光电探测金属超结构的制作方法,其特征在于包括以下步骤:
第一步:将第一层石墨烯薄膜转移到表面生长一层二氧化硅的硅基片上;
第二步:在第一层石墨烯薄膜上匀一层负光刻胶;
第三步:采用电子束曝光系统对第一层石墨烯薄膜上的负光刻胶进行曝光,并进行显影、定影处理,在负光刻胶层上得到由若干间隔距离为纳米量级的方形凹槽组成的槽阵列;
第四步:利用电子束热蒸发技术向方形凹槽内沉积金属Ag;
第五步:采用剥离工艺将负光刻胶去除,则在石墨烯薄膜上得到由若干间隔距离为纳米量级的金属Ag组成的金属Ag阵列结构;
第六步:利用磁控溅射薄膜沉积系统向第一层石墨烯薄膜上沉积电介质层TiO2,电介质层TiO2将金属Ag阵列结构覆盖;
第七步:在电介质层和第一层石墨烯薄膜上位于电介质层两侧的位置匀一层正光刻胶;
第八步:采用套刻工艺对正光刻胶曝光、显影、定影,将第一层石墨烯薄膜上电介质层TiO2两侧的正光刻胶去除;
第九步:利用纳米团生长工艺在第一层石墨烯薄膜上生长一层金属Au作为电极薄膜,该电极薄膜位于电介质层TiO2的两侧;
第十步:利用剥离工艺将正光刻胶去除;
第十一步:将第二层石墨烯薄膜转移至电介质层TiO2上,最终得到石墨烯薄膜-贵金属超材料结构-石墨烯薄膜的“三明治”型金属超结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中北大学,未经中北大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611092921.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种金刚线切片的制绒方法
- 下一篇:一种光伏组件封装设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





