[发明专利]校平维持力提升的高性能掩膜对准器用工作台校平装置在审
| 申请号: | 201611092835.X | 申请日: | 2016-12-02 |
| 公开(公告)号: | CN107768293A | 公开(公告)日: | 2018-03-06 |
| 发明(设计)人: | 李坤哲;闵兴基;李俊亨;全在根 | 申请(专利权)人: | 美达思系统株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司11283 | 代理人: | 刘兵,严政 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 维持 提升 性能 对准 器用 工作台 平装 | ||
1.一种校平维持力提升的高性能掩膜对准器用工作台校平装置,其特征在于,包括:
多个导向块(20),在基板(10)的上端沿着圆周方向以相隔的方式设置,导杆孔(21)在中央以上下贯通的方式形成;
多个校平气推(30),附着于上述基板(10)的底面,活塞杆(31)贯通基板(10)并插入于导杆孔(21);
多个校平杆(40),以设置于上述活塞杆(31)的上端的状态,插入于导杆孔(21),形成于上部的接地脚(41)以露在外部的方式设置;
晶片工作台(50),设置于上述校平杆(40)的上端;
多个导向螺栓(60),其下侧以一体化方式与上述导向块(20)相结合,上侧以贯通晶片工作台(50)的上下的方式与晶片工作台(50)相结合;
环外壳(70),以贯通于上述校平气推(30)的活塞杆(31)的状态,固定设置于导向块(20)的上端;
锁环(80),以使上述活塞杆(31)贯通的状态插入于环外壳(70)的内部,形成于一侧的旋转支撑球(81)扣入支撑于在环外壳(70)的内周面所形成的支撑孔(71);以及
锁定控制气缸(90),插入于在上述导向块(20)的上端以凹陷方式形成的气缸槽(24),形成于上部的活塞杆(91)接地于锁环(80)的底面。
2.一种校平维持力提升的高性能掩膜对准器用工作台校平装置,其特征在于,包括:
多个导向块(20),在基板(10)的上端沿着圆周方向以相隔的方式设置,导杆孔(21)在中央以上下贯通的方式形成;
多个校平气推(30),附着于上述基板(10)的底面,活塞杆(31)贯通基板(10)并插入于导杆孔(21);
多个校平杆(40),以设置于上述活塞杆(31)的上端的状态,插入于导杆孔(21),形成于上部的接地脚(41)以露在外部的方式设置;
晶片工作台(50),附着于底面的多个支架(52)设置于上述校平杆(40)的上端;
多个导向螺栓(60),其下侧以一体化方式与上述导向块(20)相结合,上侧以贯通支架(52)的上下的方式相结合;
环外壳(70),以贯通于上述校平气推(30)的活塞杆(31)的状态,固定设置于导向块(20)的上端;
锁环(80),以使上述活塞杆(31)贯通的状态插入于环外壳(70)的内部,形成于一侧的旋转支撑球(81)扣入支撑于在环外壳(70)的内周面所形成的支撑孔(71);以及
锁定控制气缸(90),插入于在上述导向块(20)的上端以凹陷方式形成的气缸槽(24),形成于上部的活塞杆(91)接地于锁环(80)的底面。
3.根据权利要求1所述的校平维持力提升的高性能掩膜对准器用工作台校平装置,其特征在于,上述校平气推(30)采用低摩擦气缸。
4.根据权利要求1所述的校平维持力提升的高性能掩膜对准器用工作台校平装置,其特征在于,当上述锁定控制气缸(90)进行后退动作时,锁环(80)以旋转支撑球(81)为起点向下旋转并保持倾斜状态,上述锁环(80)的内周面(83)两侧对校平杆(40)的外周面两侧加压并进行固定和锁定,当上述锁定控制气缸(90)进行前进动作时,锁环(80)以旋转支撑球(81)为起点向上旋转并保持水平状态,上述锁环(80)的内周面(83)与校平杆(40)的外周面相隔开并解除锁定。
5.根据权利要求1所述的校平维持力提升的高性能掩膜对准器用工作台校平装置,其特征在于,在上述锁环(80)中,压环(85)以插入方式设置于在内周面(83)中央形成的环槽(84),在上述内周面(83)的上下边角部分别以凹陷方式形成有防干涉部(86)。
6.根据权利要求1所述的校平维持力提升的高性能掩膜对准器用工作台校平装置,其特征在于,多个上述旋转支撑球(81)以相隔的方式一体地螺丝结合到形成于锁环(80)的一侧的结合凸部(82),插入于上述支撑孔(71)的部分呈球形。
7.根据权利要求1所述的校平维持力提升的高性能掩膜对准器用工作台校平装置,其特征在于,在上述锁环(80)的一侧上部面及环外壳(70)的上部内面以凹陷方式分别形成有弹簧支撑槽(87),在上述弹簧支撑槽(87)插入支撑有使锁环(80)向下弹性偏置的弹簧(88)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





