[发明专利]一种深硅刻蚀方法

权利要求书

1.一种深硅刻蚀方法，其包括刻蚀步骤和沉积步骤，所述刻蚀步骤和所述沉积步骤交替循环直至刻蚀到预设深度，其特征在于，在所述沉积步骤中，通入沉积气体以及由碳元素和氢元素组成的第一辅助气体进行沉积，所述沉积气体为C₄F₈；并且，

在所述沉积步骤之后，所述刻蚀步骤之前，还包括：过渡步骤；

在所述过渡步骤中，通入刻蚀气体和第二辅助气体进行刻蚀，所述第二辅助气体含碳元素和氟元素；

所述过渡步骤的工艺参数包括：所述刻蚀气体为SF₆，所述第二辅助气体为CHF₃，SF₆的气流量范围为100sccm～200sccm，CHF₃的气流量的范围为50sccm～100sccm。

2.根据权利要求1所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述第一辅助气体为C₂H₄。

3.根据权利要求1所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述沉积步骤、所述刻蚀步骤和所述过渡步骤的工艺压强均随着刻蚀深度的增加在一定范围内逐渐降低。

4.根据权利要求3所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，在所述沉积步骤、所述刻蚀步骤和所述过渡步骤中，所述工艺压强的初始值的范围为50mT～200mT，结束值的范围为10mT～30mT。

5.根据权利要求4所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，在所述沉积步骤、所述刻蚀步骤和所述过渡步骤中，所述工艺压强的初始值的范围为50mT～80mT，结束值的范围为10mT～20mT。

6.根据权利要求2所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述沉积步骤的工艺参数包括：C₄F₈的气流量范围为100sccm～200sccm，C₂H₄的气流量的范围为50sccm～100sccm；激励功率的范围为1000W～2000W；偏压功率为0W；工艺时间2s～3s。

7.根据权利要求1所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述过渡步骤的工艺参数包括：激励功率的范围在1000W～2000W；偏压功率的范围为30W～50W；工艺时间1s～ 2s。