[发明专利]基于激光改变硅基表面形态并控制成型技术的研究方法有效
| 申请号： | 201611090441.0 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106583918B | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 张俐楠;程从秀;郑伟;吴立群;王洪成 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | B23K26/00 | 分类号： | B23K26/00;B23K26/352 |
| 代理公司： | 杭州千克知识产权代理有限公司33246 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 激光 改变 表面 形态 控制 成型 技术 研究 方法 | ||
【权利要求书】：
1.基于激光改变硅基表面形态并控制成型技术的研究方法，其特征在于按如下步骤：
步骤一：硅基板的第一端固定；
步骤二：激光照射硅基板的第二端，硅基板第二端形成凸起形貌；
步骤三：测量硅基板凸起形貌的最大高度H以及最大直径D，通过以下公式计算硅基板表面凸起形貌的长径比：最大高度H/最大直径D；
步骤四：改变步骤二的激光功率，重复步骤二至步骤三，统计不同激光功率下最大凸起形貌的长径比，以得出激光功率与最大凸起形貌的长径比规律。
2.如权利要求1所述基于激光改变硅基表面形态并控制成型技术的研究方法，其特征在于：步骤二，激光照射硅基板10s。
3.如权利要求1或2所述基于激光改变硅基表面形态并控制成型技术的研究方法，其特征在于：步骤二之后，测量硅基板的第二端温度。
4.如权利要求3所述基于激光改变硅基表面形态并控制成型技术的研究方法，其特征在于：对硅基板的第二端端面至距离该端端面10um的区间进行温度测量。
5.如权利要求1所述基于激光改变硅基表面形态并控制成型技术的研究方法，其特征在于：步骤四，通过绘制折线图统计激光功率与最大凸起形貌的长径比规律。
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