[发明专利]真空装置、基片对准设备及形成预键合片的方法有效
| 申请号: | 201611089554.9 | 申请日: | 2016-11-30 |
| 公开(公告)号: | CN108122808B | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
| 发明(设计)人: | 高玉英;魏巍;霍志军 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
| 地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 真空 装置 对准 设备 形成 预键合片 方法 | ||
1.一种基片对准设备,其特征在于,包括:
上固定模块,用于固定上基片;
下固定模块,用于固定下基片;
真空模块,在所述上基片与下基片对准之后在所述上固定模块和下固定模块之间形成真空腔体;
其中所述真空模块包括壳体、密封模块和真空接口;所述壳体具有一开口并被配置成开口向上地套设在所述上固定模块和下固定模块外侧;所述密封模块设置在所述开口的内壁上,在所述上基片与下基片对准后使所述上固定模块和壳体之间密封形成密封腔;所述真空接口穿设于所述壳体的侧壁中,为所述密封腔提供真空输入形成真空腔体;
所述真空模块包括环境控制模块,所述环境控制模块设置在所述壳体内,包括从上至下依次设置的加热结构、隔热结构和冷却结构,所述环境控制模块根据后续键合工艺的需要调节壳体内的温度;
所述真空模块包括真空传感器,设置在所述壳体的侧壁中,感测所述真空腔体的真空度;以及,
所述真空模块还包括基片压紧模块,所述基片压紧模块用于在所述真空腔体的真空度达到预设真空度时压紧所述上基片与下基片。
2.如权利要求1所述的基片对准设备,其特征在于,所述基片压紧模块设置在所述下固定模块上并且位于所述下基片两侧。
3.如权利要求2所述的基片对准设备,其特征在于,还包括测控模块,所述测控模块根据感测到的真空腔体的真空度控制所述真空接口的操作。
4.如权利要求3所述的基片对准设备,其特征在于,所述测控模块根据所述真空传感器所感测的真空度控制所述基片压紧模块的压紧操作。
5.如权利要求4所述的基片对准设备,其特征在于,所述壳体或上固定模块上设置有紫外线能够穿过的窗。
6.如权利要求4所述的基片对准设备,其特征在于,所述壳体或上固定模块上设置有能够移动的门。
7.如权利要求3所述的基片对准设备,其特征在于,所述真空模块还包括温度传感器,用于感测真空腔体内的温度。
8.如权利要求7所述的基片对准设备,其特征在于,所述测控模块根据所述温度传感器所感测的真空腔体内的温度及所述真空传感器所感测的真空度控制所述基片压紧模块的压紧操作。
9.如权利要求8所述的基片对准设备,其特征在于,所述加热结构位于所述下固定模块的下方。
10.如权利要求1所述的基片对准设备,其特征在于,所述密封模块为气囊结构。
11.如权利要求3所述的基片对准设备,其特征在于,还包括传输组件、对准测量组件和驱动模块,其中所述传输组件用于将所述上基片和下基片交接到所述上固定模块和下固定模块上;所述对准测量组件包括用于采集上基片和下基片上的对准标记信息的第一测量镜头和第二测量镜头并将所述对准标记信息发送给测控模块;所驱动模块包括垂向运动机构和水平运动机构,用于在测控模块的控制下驱动带动上固定模块和下固定模块运动以使所述上基片和下基片处于对准终端。
12.如权利要求11所述的基片对准设备,其特征在于,垂向运行机构与水平运行机构分别设置在所述上固定模块之上和所述壳体之下。
13.如权利要求12所述的基片对准设备,其特征在于,所述第一测量镜头和第二测量镜头设置于所述上固定模块上方并且对称地设置在所述垂向运行机构的两侧。
14.如权利要求12所述的基片对准设备,其特征在于,所述第一测量镜头和第二测量镜头背对背上下设置。
15.一种基片对准的方法,其特征在于,包括:
将上基片和下基片相对地固定在权利要求1至14中任一项所述的基片对准设备上;
对准测量组件测量所述上基片和下基片上的对准标记的位置;
测控模块对所述上基片和下基片上的对准标记的位置进行分析并控制驱动模块带动所述上基片和下基片运动至处于对准终端;
真空模块使所述上基片与下基片真空贴合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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