[发明专利]温控点可修调的智能温控电路及修调方法

权利要求书

1.一种温控点可修调的智能温控电路，其特征在于，所述的电路包括：

带隙基准模块，用于产生带隙基准电压和正温度系数电流，所述的带隙基准模块包括带隙基准电压输出端和正温度系数电流输出端；

温度控制模块，用于调整内部电阻的阻值以修调温控点，确保芯片温度在安全范围内，所述的温度控制模块分别与所述的带隙基准电压输出端和所述的正温度系数电流输出端相连接；

所述的温度控制模块包括用于测试25℃时VREF的电压值的测试电阻，以及用于根据测得的VREF的电压值调整阻值以修调温控点的设定电阻，所述的测试电阻和所述的设定电阻并联连接于所述的正温度系数电流输出端与接地端之间；

所述的带隙基准模块包括第一P型MOS管、第二P型MOS管、第三P型MOS管、第四P型MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一三极管、第二三极管和N型MOS管，所述的第一P型MOS管的栅极分别与所述的第一P型MOS管的漏极、所述的第二P型MOS管的栅极、所述的第一三极管的集电极、所述的第四P型MOS管的栅极和启动电路相连接，所述的第一P型MOS管的源极分别与所述的第二P型MOS管的源极、所述的第三P型MOS管的源极和所述的第四P型MOS管的源极相连接并接VCC，所述的第四P型MOS管的漏极与所述的正温度系数电流输出端相连接，所述的第二P型MOS管的漏极分别与所述的第二三极管的集电极和所述的N型MOS管的栅极相连接，所述的第三P型MOS管的漏极分别与所述的第三P型MOS管的栅极和所述的N型MOS管的漏极相连接，所述的N型MOS管的源极分别与所述的第一三极管的基极、所述的第二三极管的基极和所述的带隙基准电压输出端相连接，所述的第一三极管的发射极与所述的第一电阻的第一端相连接，所述的第一电阻的第二端分别与所述的第二电阻的第一端和所述的第二三极管的发射极相连接，所述的第二电阻的第二端与所述的第三电阻的第一端相连接，所述的第三电阻的第二端接地。

2.根据权利要求1所述的温控点可修调的智能温控电路，其特征在于，所述的温度控制模块包括第四电阻、第五电阻、第六电阻、测试电阻、设定电阻、第九电阻、第一电键、第二电键和第三三极管，所述的测试电阻的第二端分别与所述的设定电阻的第二端、所述的第三三极管的发射极、所述的第六电阻的第二端相连接并接地，所述的测试电阻的第一端与所述的第一电键的第二端相连接，所述的设定电阻的第一端与所述的第二电键的第二端相连接，所述的第一电键的第一端分别与所述的第二电键的第一端、所述的第九电阻的第二端和所述的第三三极管的基极相连接，所述的第九电阻的第一端与所述的正温度系数电流输出端相连接，所述的第三三极管的集电极分别与所述的第四电阻的第二端和所述的第五电阻的第一端相连接，所述的第四电阻的第一端与所述的带隙基准电压输出端相连接，所述的第五电阻的第二端与所述的第六电阻的第一端相连接并接VREF。

3.根据权利要求2所述的温控点可修调的智能温控电路，其特征在于，所述的设定电阻为双向可调电阻。

4.一种通过权利要求1所述的电路实现温控点修调的方法，其特征在于，所述的方法包括以下步骤：

(1)根据具有离散性的智能温控波形，制作表格；

(2)测试温度保持恒温25℃，闭合第一电键，断开第二电键，测试VREF的电压值；

(3)根据所述的VREF的电压值，通过查寻所述的表格得到设定电阻的目标阻值；

(4)断开第一电键，闭合第二电键，并调节所述的设定电阻的阻值。

5.根据权利要求4所述的实现温控点修调的方法，其特征在于，所述的步骤(1)还包括以下步骤：

(1-1)在具有离散性的智能温控波形图中确定25℃时的各电压值；

(1-2)对大小相邻的电压值求平均值；

(1-3)根据得到的多个平均值确定多个区间，每个区间对应一个设定电阻的目标阻值。

6.根据权利要求4所述的实现温控点修调的方法，其特征在于，步骤(4)所述的调节所述的设定电阻的阻值，具体为：

根据查表结果，通过烧熔丝将设定电阻修调至合适值。