[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

鳍型图案，沿第一方向延伸；

器件隔离膜，围绕鳍型图案并暴露鳍型图案的上部；

栅电极，在器件隔离膜和鳍型图案上沿与第一方向相交的第二方向延伸；

栅极隔离膜，将栅电极的部分沿第二方向隔离开并包括第一材料；以及

层间绝缘膜，在所述器件隔离膜上，在栅电极的侧表面上并包括与第一材料不同的第二材料，

其中，栅极隔离膜具有压应力特性，层间绝缘膜具有拉应力特性。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，鳍型图案包括沿第二方向彼此分隔开的第一鳍型图案和第二鳍型图案，以及

栅极隔离膜在第一鳍型图案与第二鳍型图案之间并沿第一方向延伸。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，栅电极包括沿第一方向彼此分隔开的第一栅电极至第三栅电极，以及

栅极隔离膜分隔第二栅电极而不接触第一栅电极和第三栅电极。

4.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：第一沟槽，沿第一方向位于器件隔离膜内并将栅电极的部分沿第二方向隔离开，其中，栅极隔离膜填充第一沟槽。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中，栅极隔离膜包括：

外部栅极隔离膜，共形地在第一沟槽的底表面和侧表面上，以及

内部栅极隔离膜，在外部栅极隔离膜上，完全地填充第一沟槽。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，栅极隔离膜包括沿第二方向彼此分隔开的第一栅极隔离膜和第二栅极隔离膜，以及

鳍型图案在第一栅极隔离膜与第二栅极隔离膜之间。

7.如权利要求6所述的半导体器件，还包括：

第二沟槽，在鳍型图案和第一栅极隔离膜之间，以及

第三栅极隔离膜，在第二沟槽中。

8.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

第一栅电极，沿第一方向延伸；

第一栅极隔离膜，将第一栅电极的部分隔离开，并沿与第一方向相交的第二方向延伸；

第二栅极隔离膜，将第一栅电极的部分隔离开，沿第二方向延伸并沿第一方向与第一栅极隔离膜分隔开；

第一有源区，在第一栅极隔离膜和第二栅极隔离膜之间；以及

第三栅极隔离膜，在第一有源区和第一栅极隔离膜之间，

其中，在第一栅极隔离膜和第三栅极隔离膜之间不存在有源区。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中，第三栅极隔离膜的沿第二方向的长度比第一栅极隔离膜的沿第二方向的长度短。

10.如权利要求8所述的半导体器件，还包括：第一层间绝缘膜，在第一栅电极的侧表面上并包括第一材料。

11.如权利要求8所述的半导体器件，还包括：第二栅电极和第三栅电极，沿第一方向延伸并且分别布置在第一栅电极的相对侧上，

其中，第一栅极隔离膜将第二栅电极的部分和第三栅电极的部分隔离开。

12.如权利要求11所述的半导体器件，还包括：

鳍型图案，在基底上突出并沿第二方向延伸，以及

器件隔离膜，围绕鳍型图案的侧表面的一部分，

其中，第一栅电极至第三栅电极在器件隔离膜和鳍型图案上。

13.如权利要求11所述的半导体器件，还包括至少一个第四栅极隔离膜，在第一有源区和第二栅极隔离膜之间，

其中，在第二栅极隔离膜和第四栅极隔离膜之间不存在有源区。