[发明专利]鳍式场效应管的形成方法以及半导体结构

权利要求书

1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成掩膜层，所述掩膜层内具有暴露出部分基底的第一开口；

以所述掩膜层为掩膜，沿所述第一开口刻蚀去除第一厚度的基底，在所述基底内形成第二开口；

在所述第一开口以及第二开口内填充满核心层,所述核心层包括位于所述第一开口侧壁上、以及第二开口底部和侧壁上的衬垫氧化层、以及位于所述衬垫氧化层上的多晶硅层，且所述多晶硅层填充满所述第一开口以及第二开口；

去除所述掩膜层，暴露出部分核心层侧壁；

在所述露出的核心层侧壁以及部分基底上形成侧墙，且相邻侧墙之间具有第三开口；

以所述侧墙为掩膜，沿所述第三开口刻蚀去除第二厚度的基底，刻蚀后的基底构成衬底以及凸出于衬底上的分立的鳍部；

仅在露出的衬底上以及露出的鳍部上形成保护氧化层，所述保护氧化层用于避免后续刻蚀去除核心层的工艺对所述衬底或者鳍部造成刻蚀损伤；

在形成所述衬底以及鳍部之后，先去除所述多晶硅层，再完全去除所述衬垫氧化层及保护氧化层；

在去除所述衬垫氧化层及保护氧化层之后，在所述鳍部露出的衬底上形成隔离膜。

2.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在垂直于所述鳍部延伸方向上，所述第二开口的宽度尺寸与所述第三开口的宽度尺寸相同。

3.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在形成所述鳍部之后，位于所述鳍部两侧的衬底顶部齐平。

4.如权利要求3所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第一厚度与所述第二厚度相同。

5.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述掩膜层包括第一掩膜层以及位于所述第一掩膜层上的第二掩膜层，且所述第一掩膜层的材料与所述第二掩膜层的材料不同；所述形成方法包括：

在去除所述掩膜层的工艺步骤中，去除所述第二掩膜层，保留位于所述基底上的第一掩膜层。

6.如权利要求5所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：

在形成所述侧墙的工艺步骤中，在所述露出的核心层侧壁以及部分第一掩膜层上形成所述侧墙；

所述第三开口露出部分第一掩膜层；

在沿所述第三开口刻蚀去除第二厚度的基底之前，还刻蚀去除所述第三开口露出的第一掩膜层。

7.如权利要求5所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，形成所述侧墙的工艺步骤包括：在所述露出的核心层侧壁以及顶部上、以及露出的第一掩膜层上形成侧墙层；采用无掩膜刻蚀工艺，回刻蚀去除位于所述核心层顶部以及部分第一掩膜层上的侧墙层，形成所述侧墙。

8.如权利要求5所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料为氧化硅；所述第二掩膜层的材料为氮化硅；所述第一掩膜层的厚度为10埃～50埃；所述第二掩膜层的厚度为100埃～5000埃。

9.如权利要求5所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料与所述第一掩膜层的材料不同。

10.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料为氧化硅或氮化硅。

11.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述核心层为单层结构；所述核心层的材料为无定形碳、DUO材料、BARC材料或者DARC材料。

12.如权利要求1所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述衬垫氧化层的厚度为5埃～30埃。