[发明专利]一种量子点的后处理方法

说明书

本发明公开一种量子点的后处理方法，后处理方法包括步骤：在含有未反应前驱体的量子点溶液中加入多元硫醇，然后在一定的温度下进行反应；反应结束后冷却至室温，然后进行离心分离并弃掉液相，用溶剂冲洗固相后干燥，即获得不含未反应前驱体的量子点。本发明通过在含有残留或者过量未反应前驱体的量子点反应体系或者溶液体系中加入一定比例的多元硫醇，并在合适的温度下反应后，直接进行离心分离及冲洗干燥，即可获得不含以上未反应前驱体的高纯度量子点固体样品。另外，本发明将上述所获得的高纯度量子点固体样品与所要溶解的溶剂混合后加入一定比例的单元硫醇，并在合适的温度下反应后，即可获得分散良好的量子点溶液。

技术领域

本发明涉及量子点领域，尤其涉及一种量子点的后处理方法。

背景技术

量子点显著的量子限域效应使其具有了诸多独特的纳米性质：发射波长连续可调、发光波长窄、吸收光谱宽、发光强度高以及荧光寿命长等。这些特点使得量子点在平板显示、固态照明、光伏太阳能等光电领域均具有广泛的应用前景。

众所周知，在光电器件例如半导体显示器件、照明器件以及太阳能器件中，对于光电材料的纯度要求非常高，微量杂质的引入不仅会对光电材料本身的光学和电学等特性造成影响，更重要的是，也会对整体光电器件中的载流子和激子等的行为造成影响，从而大大降低相应光电器件的性能。当前用于光电领域的半导体胶体量子点大多是通过金属有机物热分解合成法来制备的。在这种方法中，阴离子前驱体和阳离子前驱体的反应体系在高温下达到反应物的瞬间过饱和，从而发生短时间内的成核反应和后续的生长反应，最终形成具有良好尺寸单分布性的量子点。由于不同前驱体反应活性的差异以及所形成的量子点组分的不同要求，在量子点形成后，反应体系中往往仍然存在一种或几种过量或者残余的前驱体反应物；常规的方法是通过加入沉淀剂进行多次沉淀离心分离来去除，但最终样品的纯度对于沉淀步骤时沉淀剂的加入量非常敏感，沉淀剂加入量过量，非常容易导致剩余未反应的前驱体反应物与量子点同时沉淀出来，大大影响了量子点产物的纯度；而沉淀剂加入量过少，又会导致量子点无法沉淀出来或者损失大量产物。

因此，需开发一种能够避免上述由于沉淀剂的加入而导致杂质与量子点一同沉淀出来的有效量子点提纯方法。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点的后处理方法，旨在解决现有后处理方法由于沉淀剂的加入，导致杂质与量子点一同沉淀出来的问题。

一种量子点的后处理方法，其中，包括：

步骤A、在含有未反应前驱体的量子点溶液中加入多元硫醇，然后在一定的温度下进行反应；

步骤B、反应结束后冷却至室温，然后进行离心分离并弃掉液相，用溶剂冲洗固相后干燥，即获得不含未反应前驱体的量子点。

所述的量子点的后处理方法，其中，步骤A中，所述多元硫醇为1,2-乙二硫醇、1,3-丙二硫醇、1,4-丁二硫醇、1,5-戊二硫醇、1,6-己二硫醇、1,8-辛二硫醇、1,9-壬二硫醇、1,11-十一烷二硫醇、1,16-十六烷二硫醇、2,3-丁二硫醇中的一种。

所述的量子点的后处理方法，其中，步骤A中，所述多元硫醇加入的量为量子点溶液体积的0.001倍至10倍。

所述的量子点的后处理方法，其中，步骤A中，反应的温度为10-400℃，反应的时间为5秒至10小时。

所述的量子点的后处理方法，其中，步骤A中，反应的体系氛围为惰性气氛、空气气氛、真空中的一种。

所述的量子点的后处理方法，其中，步骤B中，冲洗固相的溶剂为非极性有机溶剂，所述非极性有机溶剂为氯仿、甲苯、氯苯、正己烷、正辛烷、十氢萘、十三烷中的一种。

所述的量子点的后处理方法，其中，步骤B中，冲洗完后的固相干燥条件为空气中自然干燥、真空干燥、空气中加热干燥、真空加热干燥中的一种。